直径比大坩埚水平肩生长红外锗单晶

直径比大坩埚水平肩生长红外锗单晶

一、红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长(论文文献综述)

张志坚,池蓉,罗凤灵[1](2019)在《软轴单晶炉晶体生长的固有干扰因素分析》文中研究表明随着半导体产业技术发展,提高单晶材料生长的成晶率和晶体内在品质越来越重要。国内目前普遍采用软轴单晶炉进行锗、硅单晶棒生产,软轴单晶炉相对硬轴单晶炉具有结构紧凑,运行可靠、设备成本低等的优点,但是软轴单晶炉由于软轴系统类似于单摆和弹簧振子的结构特点,容易产生固有共振干扰,存在对晶体品质不利的影响因素。对这些干扰因素、解决措施进行了简要分析和讨论。

苏颖,陈俊霞,张勇,张成群,龚涛[2](2015)在《一种锗晶体光码盘的分划制作工艺研究》文中认为为了在锗晶体光坯上制作出满足要求的码盘图案,分别采用正性光刻胶和负性光刻胶,先镀膜后照相和先照相后镀膜的工艺路线进行工艺实验,并对实验结果进行分析,得出结论:用负性光刻胶按先照相后镀膜的工艺路线为锗晶体光码盘分划制作工艺的最佳方案。实验结果表明:加工出的图案明暗对比度大、边缘不均匀性小于0.008mm,可实际应用于锗晶体上分划图案的制作。

冯德伸,苏小平,闵振东,尹士平[3](2006)在《Φ300 mm红外锗单晶生长及性能测试》文中进行了进一步梳理采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶,讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响,测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量,结果表明单晶满足红外光学系统的使用要求。

张志坚,臧健[4](2003)在《有色金属材料研究45年历程》文中研究指明介绍了昆明冶金研究院建院50周年来,材料研究在40余年中不断发展和完善,取得的一批成果,在红外光学材料、复合材料、精密异型材料、有色金属合金、有色金属粉末冶金等领域具备了较强研发能力,形成了有特色的一批高技术产品和高新技术产业,建立了一支年轻有朝气的科技人员队伍,为科技事业和社会经济发展做出了贡献。

闫洪[5](2003)在《2002年云南金属材料与加工年评》文中研究表明从材料的制备工艺、性能和应用,即黑色金属、有色金属、稀贵金属和陶瓷材料等方面评述了云南省材料与加工的研究状况,就其研究方向提出一些看法。

张志坚[6](2002)在《红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长》文中认为红外热成像远距离侦测技术的发展 ,需要制备大直径的红外锗单晶光学材料 .减少机械及热扰动是制备大直径的红外锗单晶光学材料的必要条件 ,通过静态热场的配置和采用水平放肩 ,大晶埚径比 (0 .73~ 0 .92 )生长工艺 .最大限度发挥了现有设备能力 ,实现了红外锗晶体生长周期缩、成晶率提高、节约用料

二、红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长(论文提纲范文)

(1)软轴单晶炉晶体生长的固有干扰因素分析(论文提纲范文)

1 软轴单晶炉结构特点和固有干扰分析
    1.1 软轴单晶炉结构特点
    1.2 软轴单晶炉固有干扰因素分析
        1.2.1 软轴单晶炉热场
        1.2.2 软轴系统的单摆振动
        1.2.3 软轴系统的弹簧振荡
        1.2.4 软轴系统扭摆震荡和傅科摆的干扰
2 讨论
    2.1 软轴单晶炉热场改进
    2.2 固有干扰的抑制
        2.2.1 稳定晶体生长过程中的工艺参数控制
        2.2.2 机械阻尼或者电磁阻尼
        2.2.3 实例
3 结语

(3)Φ300 mm红外锗单晶生长及性能测试(论文提纲范文)

1 实验
    1.1 锗单晶生长工艺
    1.2 单晶性能测试
2 结果分析
    2.1 单晶生长技术
    2.2 单晶主要性能指标测量
3 结论

(5)2002年云南金属材料与加工年评(论文提纲范文)

1 前 言
2 黑色金属材料与加工
3 有色金属材料与加工
4 稀贵金属材料与加工
5 陶瓷材料与加工
6 结 语

(6)红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长(论文提纲范文)

1 工艺及方法
    1.1 热场方程
    1.2 设备静态热场配置
    1.3 原料及电阻率控制
    1.4 工艺过程
    1.5 工艺实验结果
2 测试与讨论
    2.1 制样
    2.2 晶体X-RAY分析
    2.3 红外透射谱线测试
    2.4 讨论

四、红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长(论文参考文献)

  • [1]软轴单晶炉晶体生长的固有干扰因素分析[J]. 张志坚,池蓉,罗凤灵. 云南冶金, 2019(05)
  • [2]一种锗晶体光码盘的分划制作工艺研究[J]. 苏颖,陈俊霞,张勇,张成群,龚涛. 应用光学, 2015(01)
  • [3]Φ300 mm红外锗单晶生长及性能测试[J]. 冯德伸,苏小平,闵振东,尹士平. 稀有金属, 2006(05)
  • [4]有色金属材料研究45年历程[J]. 张志坚,臧健. 云南冶金, 2003(S1)
  • [5]2002年云南金属材料与加工年评[J]. 闫洪. 云南冶金, 2003(02)
  • [6]红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长[J]. 张志坚. 云南大学学报(自然科学版), 2002(S1)

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