一、掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响（论文文献综述）
杨兵[1]（2020）在《溶液法制备氧化物薄膜晶体管及在逻辑器件中的应用研究》文中研究说明溶液法制备薄膜晶体管（TFTs）具有成本低廉工艺简单,组分比例可控,便于大批量生产等特点,特别适用于新材料的探究和最佳工艺条件的确定,在透明显示器件制备和逻辑门器件构筑中起着举足轻重的作用。近年来,薄膜晶体管的制备工艺和电学性能得到突飞猛进的发展,以铟镓锌氧（IGZO）为代表的TFTs已经实现了产业化。但是铟作为稀缺元素的使用限制了器件成本的降低和更广泛的应用,因此开发非铟TFTs有迫切的市场需求和战略意义。本文深入探究了新型金属氧化物在介电层中的应用,研究了器件的时效稳定性,光照稳定性,偏压界面稳定性。此外利用低成本的非铟有源层和介电层掺杂成功构筑了一系列薄膜晶体管,并探索了在逻辑电路中的反相器的应用。主要成果如下:1.通过溶液凝胶法制备了氧化镝薄膜作为高性能氧化铟锌薄膜晶体管的介电层,时效10天后的TFT表现出极高的电流开关比1×109,大的饱和迁移率12.6 cm2V-1s-1和可以忽略的迟滞,这是由于空气中的水分子扩散入薄膜起着电子供体的作用,其构筑的反相器在3 V的操作电压下表现出10.1的高增益和良好的动态响应性能。光照稳定性模型结果显示白光照射下的TFT在各种光辐照下的稳定性最好,阈值电压偏移为0.25 V,说明较弱的激发光电子只能激活传导带的电子,而不会在界面上产生新的缺陷,不同光源表现出的特征稳定性显示出其在光电探测器中的应用潜力。2.采用溶液法制备的氧化锌锡薄膜与氧化镝栅介质薄膜构筑了低成本的TFTs。研究发现锌锡比例为1:1时,三元尖晶石型Zn2SnO4相达到峰值,研究发现经过10天的时效处理后,器件的饱和载流子迁移率从0.57增加到2.5 cm2V-1s-1,开关比从7.8×104增加到2.4×106,所构筑的反相器在2.5 V的操作电压下表现出7.3的增益和良好的动态响应。晶态下的电子传输模型显示时效扩散过程中非共格往半共格界面的转变可以释放被捕获的电子。此外,提出了时效天数与迟滞的变化量的指数模型,进一步发现器件的时效稳定性不仅与退火温度有关,还与界面匹配度因子有关。3.采用溶液法把氧化镱与低成本的氧化锌锡薄膜结合成功构筑成为低压调控的TFTs,退火后器件表现出9.1 cm2V-1s-1的饱和迁移率值和2.15×107的开关比,这甚至超过了文献报道的铟基TFT,所构筑的反相器在2 V的操作电压下表现出5.6的增益和良好的动态响应。通过能带模型对转移曲线中的驼峰现象,不同偏压下的界面变化进行了系统探究,并指出电场延迟效应也会造成偏压稳定性的提高。同时发现集成的TFT仍然符合前面提出的时效天数与迟滞的变化量的指数模型,并且指出界面匹配度因子不受退火温度影响,而由界面层的材料决定。4.为了构筑低成本环境友好型TFTs,把氧化镝,氧化镱,氧化钆掺入到氧化锆水溶液中去制备介电层,结果发现钆掺杂的氧化锆薄膜的表面质量最高。利用可变程跃迁（variable range-hopping,VRH）模型对构筑器件的电学性能进行比较分析发现,水基的氧化锆钆薄膜有助于得到更加清洁的界面,其漏流密度低至6×10-10A cm-2,击穿电场可达7.32 MV/cm。因此有源层的最佳退火温度可以从之前的500 ℃降至430 ℃,在2V的低压驱动下饱和载流子迁移率可达～3.10 cm2V-1s-1,在1.5V偏压作用5400s后开关比可以达到8×107,阈值电压的偏移仅为0.25V。负载型的反相器在2.5V的操作电压下表现出的最大增益可以达到7.3。这对于实现低功耗,大面积柔性电子器件的发展迈出了重要一步。
章佳杰[2]（2020）在《基于氧化锡锑和氧化铜的织物抗静电与抗菌整理研究》文中认为随着人们的生活水平日益提高,对于纺织品也提出了新的要求。抗静电作为一个长久以来存在的问题,一直受到人们的关注。在矿井、手术台等环境下,静电带来的危害难以想象。涤纶织物作为应用广泛的合成纤维,因其性能优异广受人们喜爱,但是涤纶纤维容易产生静电,因此对涤纶进行抗静电整理意义重大。另一方面,随着新冠病毒的肆虐,人们对于病毒、细菌的防控意识上升到空前高度。纺织品与人们关系密切,棉织物作为人类最早接触的织物,早已成为人们生活中不可缺少的一部分,但是棉纤维因其亲水性能优异,使得细菌容易滋生在其表面。因此,抗菌棉织物的研发意义深远。本文从静电泄露中的传导与辐射两方面入手,阐述了抗静电材料的抗静电机理与静电消除过程,并分析了现有抗静电材料的优缺点,以及抗静电整理的发展方向。使用金属氧化物对织物进行抗静电整理可以使织物快速完成静电泄露以达到抗静电功效。氧化锡锑（ATO）属于N型半导体,其表面带的电子赋予其较强的导电能力,使其可用于抗静电整理。另一方面,本文从抗菌机理入手,阐述了各类抗菌剂的作用机理以及抗菌织物的发展方向。金属氧化物可以通过光催化抗菌机理快速杀菌,且限制较小,耐久性好。氧化铜属于P型半导体,在光催化条件下可以产生活性氧,使其具备抗菌功效。本文从抗静电涤纶织物与抗菌棉织物的研发着手探究。研究氧化锡锑的抗静电涂层法与溶胶处理法对涤纶织物的抗静电改善效果。另一方面,运用超声化学制备表面生长氧化铜的抗菌织物。首先,以ATO共混聚氨酯制备ATO抗静电涂料,经过涂层工艺处理得到的抗静电涂层具有良好的耐久性。经过单因素实验与正交实验得到静电半衰期为0.24 s,峰值电压为297 V的抗静电涂层织物,处理后织物的经纬向抗弯刚度均有所提高,其耐水洗次数可达20次。其次,以溶胶凝胶法制备ATO溶胶。以ATO溶胶处理织物,经过单因素实验与正交实验得到静电半衰期为0.02 s,峰值电压为267 V的抗静电涤纶织物,其耐水洗次数可达20次。经X射线衍射（XRD）,X射线光电子能谱（XPS）,X射线能谱分析（EDS）与场发射扫描电镜（FE-SEM）表征,处理后织物表面形成一层均匀的的ATO薄膜。最后,以超声化学法将棉织物置于硫酸铜/氢氧化钠混合溶液中制备氧化铜抗菌棉织物。XRD、EDS、XPS、FE-SEM表明,织物表面生成了氧化铜,并且氧化铜均匀生长在棉织物表面。由于氧化铜处理后棉织物显示出良好的紫外防护性能,采用UPF可以在一定程度上表征织物表面氧化铜含量。UPF指数为184.23的棉织物对金黄色葡萄球菌的抗菌率大于99.9%。
王明序[3]（2020）在《浅色纤维状导电钛白的可控合成及其涂层应用》文中指出导电二氧化钛（TiO2）晶须是功能性钛白粉的一种,具有白度高、导电性优良、逾渗阀值低和稳定性强等优点。近年来,作为一种新型的浅色导电填料,它被广泛研究并应用于涂料、化纤、油墨等各种有导电、抗静电需求的技术领域。但由于缺乏TiO2晶须宏量制备技术的报道,无法满足国内对相关产品的需求。本研究以Ti O2纳米粉为钛源,烧结法制备钛酸钾晶须(K2TinO2n+1,1≤n≤8),并通过K+/H+离子交换与高温热处理得到形貌、晶型可控的高纯度TiO2晶须。在此基础上,以液相共沉淀的方法在TiO2晶须表面包覆锑掺杂的氧化锡（ATO）前驱体,经过煅烧脱水后最终制备出浅色的ATO@TiO2导电晶须。通过涂层整理的方式,将ATO@TiO2导电晶须与水性聚氨酯（WPU）共混制备的导电浆料涂覆在聚酯纤维织物表面制备出抗静电性能良好的涂层织物。同时,将自制的ATO@TiO2导电晶须与目前同类型的商品级导电钛白粉产品进行性能的对比,证明了材料本身优异的性能与工业化的前景。主要内容与结论如下:（1）以锐钛型TiO2纳米粉（球状纳米颗粒,200±50 nm）为钛源,液相均匀共混K2CO3,经高温烧结过程生长出四钛酸钾（K2Ti4O9）晶须。对TiO2-K2CO3（Ti/K=3）共混物在50-1000℃的热失重（TG）行为进行分析,确定发生反应的温度区间,并对这些温度区间内的煅烧产物进行晶相探讨,以此推测共混物高温下的反应机制。同时结合反应过程,用VLS理论对晶体的生长过程与现象进行阐述。结果表明:K2Ti4O9晶须的整个反应与生长过程符合“熔体诱导生长模型”,其间伴随有富钾液（K2O）和多种钛酸盐中间产物的生成,这些取向的并不断熔出的共熔体诱导晶须沿着轴向不断生长,最终成型。（2）基于K2Ti4O9晶须特殊的层状结构,通过控制反应体系的水合比m（H2O）/m（K2Ti4O9）与pH值可以实现对原料完全的K+/H+离子交换,制备出高纯度的水合钛酸（TiO2·xH2O）晶须。实验结果证明:控制pH值为1.5-2,分别以20、20、10和10的水合比重复四次离子交换反应过程,可以实现>99%的K+置换率。对水合过程进行动力学模型拟合分析的结果显示,离子交换过程可以使用准二级动力学方程描述,包含吸附、内外液膜扩散等多个步骤,其中速率的控制步骤是化学反应过程。（3）以高纯的TiO2·xH2O晶须为原料,以可控的晶型、形貌为实验目标,考察了煅烧工艺对晶须形貌和性能的影响。通过调控煅烧温度制备出不同晶型、形貌无缺陷的TiO2晶须,同时结合测试分析结果对晶须形貌的变化做出阐述。此外,从改善形貌的角度,在煅烧过程中加入纳米TiO2凝胶,促进晶型转化的同时调节形貌。高温热处理的过程使得多孔疏松态的TiO2·xH2O晶须发生单晶单元的重排甚至重组,导致晶须形貌不断发生变化甚至发生晶相的转变。且温度越高长度缩短、直径变大的现象越明显。分别在700℃、1100℃获得完全的锐钛型和金红石型TiO2晶须,但从具有完整形貌的晶须产率角度来分析,前者保持95%以上,而后者则大幅度损坏不能使用。尽管还通过纳米TiO2凝胶的掺杂煅烧一定程度改善了形貌,降低了晶型转化温度,但依旧存在50%以上的损坏率,因此金红石型TiO2晶须的煅烧工艺需要进一步的研究（4）对传统粗放的液相共沉淀包覆工艺进行优化。一方面使用六偏磷酸钠（SHMP）对载体TiO2晶须进行预处理,提高载体在悬浮液中的分散性并通过吸附PO3-基团增加晶须的表面活性点,为高效的包覆过程提供保障。另一方面,采用正交实验,以晶须的表面电阻率和白度作为考察标准对包覆工艺的四个参数包覆比（mSnO2/mTiO2）、掺杂比（mSb2O5/mSnO2）、水浴比（mTiO2/mH2O）、煅烧温度)进行优化。实验数据显示:白度和表面电阻率是矛盾的优化指标,难以实现共同最优。从实用性与节省原料的角度,选取较为合适的优化工艺为包覆比25 wt%、掺杂比10 wt%、浴比1:10、煅烧温度为500℃。此工艺下ATO@TiO2导电晶须的电阻率为200±25Ω·cm,白度值为78±1。对晶须的形貌分析表明,优化后的包覆工艺使得晶须表面包覆层的颗粒感明显减弱,TiO2消光效应发挥明显提高了导电晶须的白度。对晶须的晶相与表面元素分析证明Sb5+成功掺杂进SnO2晶格中,起到了掺杂导电的功能。最后对ATO@TiO2导电晶须的吸油值进行测试,自制的导电钛白为56.3±5 g/100g,相较传统的炭黑导电粉优势明显,与目前市场的商品级导电TiO2粉体产品也较为接近。（5）将自制的ATO@TiO2导电晶须与水性聚氨酯（WPU）均匀共混,制备导电浆料,通过涂层整理方法,制备抗静电的ATO@TiO2/WPU涂层织物,同时与三款商品级的导电TiO2粉体作对比。相比粒子型导电填料（大于40%）,一维的导电晶须通过“桥接”形成复杂的导电网络,因此有着更低的逾渗阀值（7-12 wt%）。经实验分析:自制的ATO@TiO2导电晶须的逾渗阀值为12 wt%,50μm涂层厚度的织物表面电阻小于106Ω,白度值为77。同时,经过长时间的水洗、光照和热处理等耐久性试验,涂层织物保持稳定的电荷逸散能力。
李书典[4]（2020）在《锰基铁基ABO3（A=La，Sr）型复合氧化物的合成及掺杂研究》文中研究说明锰基、铁基ABO3型复合氧化物作为一种新型功能材料,已广泛应用于新型传感器、燃料电池、磁性材料、铁电材料、催化及环保等领域。随着ABO3复合氧化物应用领域的不断扩大,制备不同结构组成的ABO3氧化物已成为钙钛矿材料合成的重点课题之一。近年来,钙钛矿材料的掺杂已成为新的研究热点,但对于ABO3掺杂后其光催化性能和磁学特性的系统研究尚不完善。因此,探索ABO3掺杂后其光催化性能和磁学特性的研究是十分必要的。在掺杂ABO3型复合氧化物的合成制备中,现阶段使用的方法大多为高温固相法或溶胶-凝胶法等,但高温固相法和溶胶-凝胶法在合成过程中都有明显的不足,比如高温固相法的合成温度较高,这使得合成样品粉体结块团聚很严重,并且在高温合成中重复的扩散,难以确保全部原子都经历过迁移过程,因此会发生样品的化学不均一有杂质存在;使用溶胶-凝胶法制备ABO3型复合氧化物虽然工艺流程简单、易操作,样品颗粒分布均匀且不含杂质,纯度较高,但使用这种方法的成本也较高,加上热处理时间周期较长,不适合现代工业化生产。鉴于上述两种方法的不足,本论文选用水热合成法制备样品,这种工艺制备使得反应离子在制备过程中充分混合,所需反应温度远低于高温固相法所需温度,显着降低反应的活化能,并且合成的产物,粒径分布范围窄,团聚程度较小,结晶度较好,能够得到尺寸均匀的样品。在本论文中,我们采用了水热合成法对ABO3型稀土复合氧化物的A、B位进行掺杂研究,通过调整矿化剂用量、反应温度和反应时间等工艺参数制备出ABO3型稀土复合氧化物的纯相粉体,并对粉体进行了表征;在此基础上,对ABO3型复合氧化物的晶体结构、催化特性、磁学变化特性、进行了讨论研究。（1）对A位掺杂合成的系列产物La1-xSrxMn O3（0≤x≤1）,考察了反应条件对产物结构性能的影响。从实验结果看出,随着具有较大离子半径的Sr2+在A位取代小半径的La3+,对产物的晶粒尺寸有较大影响,样品尺寸呈现先增大再减小的趋势。在光催化性能上,当Sr2+离子的掺杂量x=0.2时,样品的光催化性能最佳,120min内能使甲基橙溶液的脱色率达约52%左右。在磁性实验中,La1-xSrxMn O3样品都表现为铁磁性物质,在到达居里温度TC=75K之前,随着温度的升高,样品的自发磁化强度逐渐降低,到达TC=75K之后,逐渐变为顺磁性。（2）对B位使用水热法掺杂合成La Mn1-yFeyO3（0≤y≤1）,研究不同实验条件对产物晶体的变化。实验结果看出Fe3+对Mn3+在B位取代使得晶粒尺寸有了改变,因为Fe3+半径小于Mn3+,随着取代的进行,带来产物晶体尺寸变小。在光催化实验中,Fe3+离子的掺杂量y=0.5时,样品的光催化性能最佳,120min内能使甲基橙溶液的脱色率达约60%左右。当Fe3+取代量为0.2时,样品的磁学性能从测试结果可得出当温度越低于居里温度TC=50K可使晶体的磁化强度不断增大,证明晶体的磁性相变由顺磁性变化至铁磁性;当Fe离子掺杂量y=0.7时,较大掺杂量的Fe3+掺杂替代Mn3+离子,Fe的掺杂使Mn-O-Mn键破坏,导致双交换作用减弱,磁性减弱。（3）运用水热法制备了A位Sr2+、B位Fe3+离子同时掺杂的La1-xSrxMn0.5Fe0.5O3（0≤x≤1）和La0.5Sr0.5Mn1-yFeyO3（0≤y≤1）系列化合物,对复合掺杂的ABO3型稀土复合氧化物进行的研究表明,在光催化实验中,当Sr2+离子的掺杂量X=0.5,Fe3+离子的掺杂量Y=0.5时,样品的光催化性能最佳,120min内能使甲基橙溶液的脱色率达约72%左右。通过对La0.5Sr0.5Mn1-yFeyO3的磁性能研究,Fe3+离子掺杂量增大,致使晶体体系中铁磁相互作用减小,而反铁磁相互作用得到加强,这也正是居里温度TC向低温转变的原因。
王亚男[5]（2020）在《TiO2复合氧化锡锑的可控制备及其导电性能研究》文中研究表明多功能化导电二氧化钛制备工艺的开发与应用在导电、抗静电领域具有巨大的潜在应用价值。本论文采用三种不同方法制备了二氧化钛（TiO2）复合氧化锡锑（ATO）导电材料,并通过控制导电组分中构晶阴阳离子的缓释,逐步实现对复合导电材料的可控制备。利用SEM、TEM、XRD、EPR、XPS、TG-DTA及FTIR等多种分析测试方法对复合材料的宏观成分及其组成,微观结构形貌,物相结构及相关理化性能等进行了针对性的表征,重点研究了复合材料的主要制备工艺条件与材料微观结构及其导电性能的内在关联性,同时初步探讨了不同制备方法的化学反应过程与机制,构建了TiO2复合氧化锡锑材料的导电机制模型。1)以过硫酸铵盐为引发剂,将锡锑金属氯盐、钛酸丁酯及丙烯酸溶液混合共聚,形成了聚合物前躯体,热解后产物即为结晶度良好的负载型TiO2/ATO复合粉体。复合材料中“交错”的双异质结结构及TiO2两相相界面处的协同作用,均促进了电子的层叠式传递。Ti与Sn摩尔比为5:1且SnO2中掺入8.3%的Sb时,所得TiO2/ATO样品的等效能隙最窄,其值为2.79 eV;其导电性能优良,其电阻率为15.42Ω·cm。2)以尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法制备了核壳型TiO2@ATO复合导电粉体。反应温度为92℃,尿素与金属阳离子摩尔比为10:1的情况下,OH─释放量及释放速率适中。同时,引入硫酸盐作为催化剂,降低金属阳离子成核能垒,且O42与Cl─摩尔比为1:25时,复合粉体的ATO壳层包覆在TiO2表面均匀连续且完整,壳层厚度约为15 nm。当包覆完全时,随着Sb掺杂量增加,复合粉体电阻率降低,Sn与Sb摩尔比达到12:1时,电阻率为3.98Ω·cm,再增加Sb含量,其电阻率变化很小。3)通过配合剂酒石酸络合金属阳离子,辅助均匀沉淀法进一步优化制备了TiO2@ATO复合材料,主要考察了络合剂及沉淀剂配比对复合粉体导电性能的影响。粒径约为12.3nm的氧化锡锑粒子包覆在近球状金红石型TiO2表面,形成完整核壳复合结构,且各组成元素在复合材料中均匀分布。酒石酸在本反应体系中作为中间体配体供体,同时尿素协同调节体系pH。在优化的均匀沉淀制备条件下,酒石酸与锑离子摩尔比为1:1,尿素与锡金属离子摩尔比为5:1时,所制复合粉体电阻率为3.25Ω·cm,其导电性能最佳。
张宏亮[6]（2019）在《正温度系数热敏材料的制备与研究》文中研究指明随着控温技术的发展,电子设备对温度的要求越来越高。当电子仪器处于极端低温的环境条件时,需要对其采取及时的加热处理,使其稳定在正常的工作温度范围内。采用具有正温度系数效应（PTC）的热敏材料作为加热器,可以实现电子仪器的自适应控温。当电子仪器的温度低于运行温度时,PTC加热器工作,使电子仪器恢复至工作温度;当电子仪器的温度超过工作温度时,PTC加热器电阻会随着电子仪器的温度升高而增大,导致加热功率减小,电子仪器逐渐稳定至工作温度,实现温度的自动调节。电子设备最适宜的工作温度一般在060℃,而目前大多数PTC热敏材料的居里温度点远高于100℃,不能满足电子仪设备的控温要求。本文以降低居里温度点、降低电阻率、提高升阻比的角度出发,分别对钛酸钡基PTC陶瓷材料和高分子基PTC热敏材料进行了制备和表征,制备得出居里温度点在060℃的PTC热敏材料,并利用制备的样品进行初步的温控测试。（1）采用固相法制备钛酸钡基PTC陶瓷材料,依据掺杂改性机理,制备得出居里温度在060℃的PTC热敏材料,并对陶瓷材料的烧结工艺进行了探讨,得到钛酸钡基PTC陶瓷材料的电阻率—温度性能最佳时的制备工艺。结果表明:烧结温度1300℃、保温时间4h,杂质掺杂比为:Nb2O5 0.2mol%、Ce2O3 0.3mol%、Mn（NO3）2 0.08mol%时,钛酸钡基PTC陶瓷材料的居里温度为60℃,PTC效应最好。（2）采用熔融混合法制备了石墨粉/炭黑作为导电粒子、石蜡/聚乙烯基复合高分子PTC热敏材料,对加入不同含量的石墨粉和炭黑进行研究,得到最佳掺杂浓度。结果表明:当石墨粉含量为16.67wt%、炭黑10wt%时,样品的居里温度点为26℃,PTC性能最好。（3）分别采用钛酸钡基PTC陶瓷材料和石蜡/聚乙烯基复合高分子基PTC热敏材料作为加热源,对模拟电子设备的金属块进行温控测试。初步研究表明:PTC热敏材料能够根据自身正温度系数特性调节加热功率,从而达到自适应控温的目的。
张利文[7]（2019）在《锆钛酸铅镧反铁电厚膜的制备及储能行为研究》文中研究说明锆钛酸铅镧（简称PLZT）是一类典型的钙钛矿结构（AB03）反铁电材料,具有特殊的晶体结构,在电场、温度场及压力场等外场诱导作用下发生相变效应,在相变过程中,伴随着显着的介电常数、极化强度和电流的变化,同时能量得到存储和释放。同时,其本身的钙钛矿结构使其具有良好的结构可调性,有望在高储能密度电容器中得到应用。因此本论文主要对PLZT厚膜的制备及其储能行为进行了研究,旨在为这类材料在实际中的应用提供实验基础与理论指导。本文采用溶胶-凝胶法在LaNi03/Si（100）基底上成功制备了 PLZT反铁电厚膜材料。采用X射线衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）对制得的样品进行相结构和微观显微结构分析;采用精密LCR数字电桥和铁电综合测试仪对反铁电厚膜的介电性能与反铁电性能（P-E）等宏观电性能进行测量,按照韦伯分布计算样品的击穿场强（BDS）,同时根据P-E测试图得到反铁电厚膜的储能密度及储能效率。同时,采用“两步热处理和一步结晶退火”的方法,通过对（Pbl-3x/2Lax）（ZryTi1-y）O3反铁电厚膜的制备工艺进行优化。研究发现,制备PLZT反铁电厚膜的最佳工艺为:热处理温度T1为350℃、热处理温度T2为600℃,晶化温度T为700℃制备得到的反铁电厚膜材料的储能性能最优;对于PVP改性的溶胶-凝胶法,制备（Pb1-3x/2Lax）（ZryTil-y）O3反铁电厚膜的最佳工艺为:热处理温度T1为300℃,热处理温度T2为700℃,晶化温度T为700℃制备得到的反铁电厚膜材料的储能性能最优。在此基础上,研究了厚度及组分梯度对PLZT厚膜的介电性能和储能行为的影响,研究表明:厚度的变化对PLZT反铁电厚膜的性能具有显着的影响,随着膜厚度的增加,反铁电厚膜的击穿电场降低,而介电常数随着膜厚度的增加而增大;组分梯度对PLZT厚膜的宏观性能有较大的影响,组分梯度厚膜与单组分膜相比,上梯度厚膜具有更优的储能密度,高达12.4J/cm3,比单组分厚膜高出75%。因此,可以通过控制组分梯度来改变反铁电厚膜的储能行为。系统探究了组分变化对Pbl-3x/2Lax（Zr,Sn,Ti）O3体系厚膜结构及储能行为的影响,结果表明:La3+离子含量对该体系厚膜的生长过程及相变行为具有重要影响,随着La3+离子含量的增加,PLZT逐渐表现为与底电极相同的（100）晶面择优生长,由于La3+离子的加入使厚膜晶体结构发生了改变,实现了四方反铁电相-菱方铁电相-立方顺电相的连续变化;通过合理控制厚膜中Zr/Ti、Zr/Sn及Sn/Ti比可以实现该体系厚膜反铁电-铁电相变过程的连续可调。室温下反铁电态较为稳定的厚膜,在温度诱导相变过程中通过适当的外加电场调控,可以观察到反铁电-铁电-顺电相连续相变过程;而当室温时厚膜反铁电性较弱时,则只能观察到反铁电-顺电相变过程。为了探究离子掺杂对PLZT厚膜结构及储能行为的影响,我们通过Mn4+的掺杂实现了该体系反铁电厚膜有效储能密度及能量转化效率的提高,反铁电性得到进一步稳定,有望在高能存储领域得到应用。在锰含量为1%mol时,PLZT厚膜的各种性能达到最佳,其临界击穿场强为1678.5kV/cm,储能密度为30.8 J/cm3,储能效率达到69.6%。最后,探究了氧化物缓冲层及Zr02覆盖氧化物层厚度对PLZT厚膜的介电性能和储能行为的影响。结果表明:氧化物缓冲层的加入对PLZT反铁电厚膜结构及取向有着重要影响,使反铁电厚膜材料变的更加致密、均匀,颗粒尺度增大,介电性能得到显着改善。尤其,ZnO缓冲层的引入对储能效率的提高尤为突出。但是,Zr02覆盖层厚度的增加,虽然晶粒粒径增大,但对储能密度的影响较小,储能效率降低。通过上述结果表明,通过选择合理的缓冲层能够有效改善厚膜材料的结构,从而有效提高材料储能特性。
郭亚楠[8]（2016）在《电池负极合金新材料的研究》文中认为近年来关于锂离子电池的研究受到越来越多的重视,各种研究都致力于开发高容量锂离子电池,而高容量电池负极材料的开发是获得高容量电池的重要途径。本论文主要从传统负极材料的改进和新材料的创新应用两方面进行了研究,一方面对硅负极进行改性以提高传统负极材料的电化学性能,另一方面探索新材料,如Al63Cu25Fe12准晶并创新性地应用到锂离子电池中。在传统材料改进方面,我们用机械合金化法对纯硅和人工石墨进行掺杂,最终得到了储锂容量和循环性能较好的硅/人工石墨合金材料。通过合金材料的SEM图像、XRD图像分析以及电化学性能测试发现,经过机械合金化掺杂的合金材料兼具石墨良好的循环性能、导电性以及纯硅的高理论容量等优点,不仅具有较高的储锂容量,循环性能也得到一定的提升;随着石墨掺杂量的增加,首次放电容量增加,当纯硅与人工石墨的掺杂比为7:3时,首次放电容量最大。在新材料的创新应用方面,我们从理论出发确定出以含有Al63Cu25Fe12准晶合金的负极材料为主要研究对象,采用传统的铸造法获得含有Al63Cu25Fe12准晶的合金铸锭并对其进行热处理和机械合金化工艺处理。通过X射线衍射分析和SEM分析确定了材料的表面形貌和组分,并分析了两种处理工艺对材料组成和准晶含量的影响;通过恒流充放电测试初步确定了其电化学性能。结果发现,通过熔炼法制备的合金主要含有准晶I相,还有少量β-AlFe（Cu）、λ-Al13Fe4相,热处理工艺和机械合金化处理工艺均能提高准晶含量;经过热处理后的Al63Cu25Fe12准晶合金在0.01C放电时最大放电容量为179mAh/g,约为未经热处理的合金放电容量的3倍,但是两种材料的循环性能较差,随着循环充放电的进行,材料的放电比容量下降很快,需要对材料做进一步改进;材料热处理前后的首次库伦效率均很高,除首次循环之外的单次库伦效率随循环充放电次数的增加并无明显降低,单次充放电的电位—容量曲线中无充放电平台出现。
刘超[9]（2013）在《稀土—锑共掺杂SnO2/Ti电极材料的制备及催化性能》文中指出目前水污染问题日益严重，水污染的治理成为现代社会最关注的问题，传统的生物降解方法已经很难满足现代社会的需求，电化学氧化技术作为一种高级氧化技术，具有催化效率高、反应条件温和、易与其它处理方法相结合等特点，已成为了目前的研究热点并呈现出良好的应用前景。本文以提高钛基复合氧化物电极的催化性能为目的，研究了不同稀土掺杂Ti/SnO2-Sb电极的催化性能，考察电极的最佳制备条件，并且研究了Eu掺杂Ti/SnO2-Sb-Eu电极的阴离子效应。本实验采用溶胶-凝胶法和热分解法制备了Ti/SnO2-Sb、Ti/SnO2-Sb-Ce、Ti/SnO2-Sb-Sm、Ti/SnO2-Sb-Eu、Ti/SnO2-Sb-Gd五种电极，其中Ti/SnO2-Sb电极作为对比电极。对电极降解甲基橙的过程进行电化学研究，结果表明，五种电极对甲基橙催化降解的顺序为Ti/SnO2-Sb-Eu电极>Ti/SnO2-Sb-Sm电极>Ti/SnO2-Sb-Gd电极> Ti/SnO2-Sb电极> Ti/SnO2-Sb-Ce电极，XRD分析表明，稀土掺杂未改变SnO2的晶体结构。本实验深入研究了Ti/SnO2-Sb-Eu复合电极的催化性能，研究表明，Ti/SnO2-Sb-Eu电极的最佳制备条件为摩尔掺杂比Eu:Sn=1%，热处理为600℃。Eu元素的掺杂及较高退火温度可以有效减小SnO2晶粒的平均粒径，增加电极的活性点，提高电极催化活性。电极中O元素以吸附氧和晶格氧两种形式存在，Sb元素以Sb3+、Sb5+两种价态存在，Sn元素以Sn4+存在，Eu元素以Eu3+存在。Eu元素的掺杂可以有效的减小SnO2晶体的光学能带，使SnO2能带降低0.2eV。采用Eu（NO3）3、EuCl3、Eu（AC）3、EuBr3、Eu（ClO4）3五种不同阴离子Eu盐对电极对Ti/SnO2-Sb电极进行改性，研究表明，不同阴离子Eu盐掺杂可改变电极的催化速率，但是对电极最终降解效果的提升没有明显影响。不同的阴离子Eu盐掺杂没有改变SnO2晶型，但是五种铕盐掺杂的SnO2平均粒径不同，说明不同Eu盐前驱体的掺杂影响了SnO2晶粒的成核过程。通过对Ti/SnO2-Sb-Eu电极降解动力学的研究得出，电极的扫描速率和峰电流成表观线性关系，表明在降解50mg/L的甲基橙溶液过程中，电荷转移是控速步骤。
秦瑞焕[10]（2012）在《Sm3+掺杂Ti/SnO2-Sb电极的制备及性能研究》文中认为涂层钛阳极（DSA）由于具有尺寸稳定、耐腐蚀性、寿命长等特点而受到广泛学者的关注，并广泛地应用于工业领域。为了满足不同领域的要求，需要制备不同表面涂层的DSA电极，即改变表面涂层物质元素的组成。目前，利用DSA电极表面涂层的催化氧化性能降解含有机物废水已成为研究热点。稀土元素由于其特殊的4f电子层而具备的催化性能的发现，为DSA电极的催化氧化性能的发展提供了新的应用领域。在保持DSA优良性能的前提下，将稀土元素掺入电极表面的复合涂层来提高电极的电催化性能和稳定性能。为了研究稀土元素对电极性能的影响，本文采用涂层热解法制备了钐掺杂Ti/SnO2-Sb电极，并对制备电极的电化学性能、电极表面涂层形貌、电催化降解性能以及使用寿命进行分析，探讨了掺杂量和热处理温度对电极的影响。1.以SnCl4·5H2O和Sb2O3为原料，以钛片为基底，采用涂层热解法制备Sb掺杂的Ti/SnO2-Sb电极。采用扫描电镜（SEM）对电极的涂层表面形貌进行表征；采用电化学工作站对电极作线性扫描曲线（LSV）、塔菲尔曲线（Tafel），研究了电极的电化学性能。以对硝基苯酚为目标污染物，研究了制备电极的电催化氧化性能。结果表明:Sb的掺杂明显改善了Ti/SnO2-Sb电极的性能。热处理温度为550℃时，Sb掺杂量为10%的电极的性能较好，该电极表面涂层分裂均匀，且呈旱田状，电化学性能较好，对目标有机物的降解率达75.4%，其平均使用寿命为28.5h。2.以SnCl4·5H2O、Sb2O3和Sm2O3为原料，以钛片为基底，采用涂层热解法制备Sm掺杂的Ti/SnO2-Sb电极。采用电化学工作站、扫描电镜（SEM）、和能谱（EDS）对电极的电化学性能、表面形貌、涂层元素组成进行表征。结果表明:适量钐的掺杂能够提高电极的性能。热处理温度为550℃时，稀土钐的添加量为1%（Sn:Sb:Sm=100:10:1摩尔比）时，电极的表面涂层形貌覆盖较好、较平整，且分裂均匀，析氧电位较高，为1.72V；交换电流密度值较大，为2.7910-4mA cm-2；对硝基苯酚的降解效率高达88%，且其平均使用寿命高达68.9h，是未掺杂稀土元素电极寿命的2.4倍。
二、掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响（论文提纲范文）
（1）溶液法制备氧化物薄膜晶体管及在逻辑器件中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展历程 |
| 1.3 薄膜晶体管的电学参数 |
| 1.4 论文的研究思路及结构安排 |
| 第二章 实验方法及表征手段 |
| 2.1 溶液凝胶法制备TFT器件步骤 |
| 2.2 TFT器件电学测试方法 |
| 2.3 薄膜性能的表征 |
| 2.3.1 薄膜光学性能的表征 |
| 2.3.2 薄膜热重性能的表征 |
| 2.3.3 薄膜结晶性能的表征 |
| 2.3.4 薄膜化学局域态的表征 |
| 2.3.5 薄膜表面的表征方法 |
| 2.3.6 薄膜润湿性能的表征 |
| 第三章 基于氧化镝介电层构筑的高性能铟基TFT及在逻辑器件中的应用 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 基于D_yO_x介电层的氧化铟薄膜晶体管研究 |
| 3.2.1 氧化铟薄膜晶体管的制备 |
| 3.2.2 基于SiO_2介电层的氧化铟薄膜晶体管的电学性能 |
| 3.2.3 退火温度对D_yO_x薄膜结构的影响 |
| 3.2.4 基于D_yO_x介电层的氧化铟薄膜晶体管的电学性能 |
| 3.3 基于D_yO_x介电层的高性能氧化铟锌薄膜晶体管研究 |
| 3.3.1 氧化铟锌薄膜晶体管的制备 |
| 3.3.2 退火温度对氧化铟锌薄膜结构和性能的影响 |
| 3.3.3 退火温度和时效时间对氧化铟锌薄膜晶体管电学性能的影响 |
| 3.3.4 高性能氧化铟锌薄膜晶体管在逻辑电路中的应用 |
| 3.3.5 偏压和辐照条件对氧化铟锌薄膜晶体管界面稳定性影响及能带分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于氧化镝介电层构筑的氧化锌锡TFT及在逻辑器件中的应用 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 基于SiO_2 介电层构筑氧化锌锡TFT的研究 |
| 4.2.1 氧化锌锡薄膜晶体管的制备 |
| 4.2.2 退火温度对氧化锌锡薄膜结构的影响 |
| 4.2.3 退火温度对氧化锌锡薄膜晶体管电学性能的影响 |
| 4.2.4 锌锡掺杂比例对氧化锌锡薄膜结构的影响 |
| 4.2.5 锌锡掺杂比例对氧化锌锡薄膜晶体管电学性能的影响 |
| 4.3 基于D_yO_x绝缘层的氧化锌锡薄膜晶体管结构和性能的研究 |
| 4.3.1 基于D_yO_x绝缘层的氧化锌锡薄膜晶体管的制备 |
| 4.3.2 退火温度对D_yO_x薄膜结构和性能的影响 |
| 4.3.3 退火温度和时效扩散模型对ZTO/DyO_x薄膜晶体管性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于氧化镱介电层构筑的氧化锌锡TFT及在逻辑器件中的应用 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 基于Yb_2O_3的氧化锌锡薄膜晶体管的制备及性能的研究 |
| 5.2.1 基于Yb_2O_3的氧化锌锡薄膜晶体管的制备 |
| 5.2.2 退火温度对Yb_2O_3薄膜性能和结构的影响 |
| 5.2.3 退火温度对Yb_2O_3基TFT器件电学性能的影响及驼峰现象的能带分析 |
| 5.2.4 时效时间对Yb_2O_3基TFT器件电学性能的影响及能带分析 |
| 5.2.5 电场滞后效应对Yb_2O_3 基的TFT器件偏压稳定性的影响及能带分析 |
| 5.2.6 氧化锌锡薄膜晶体管在逻辑电路中的应用 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 基于稀土元素掺杂的环境友好型锆基水溶液TFT的研究 |
| 6.1 研究背景 |
| 6.2 基于稀土元素掺杂的Zr基水溶液薄膜性能的研究 |
| 6.2.1 基于稀土元素掺杂的Zr基水溶液薄膜的制备 |
| 6.2.2 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x前驱体的润湿性能和热分解性质比较研究 |
| 6.2.3 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x薄膜透射性能和结晶性能的比较研究 |
| 6.2.4 不同Gd_2O_3掺杂量对晶体结构特点的影响 |
| 6.2.5 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x薄膜的化学局域态比较研究 |
| 6.3 基于稀土元素掺杂的Zr基水溶液薄膜晶体管TFT电学性能的研究 |
| 6.3.1 退火温度和溶剂对WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x TFT器件电学性能的影响 |
| 6.3.2 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x TFT器件偏压稳定性比较研究 |
| 6.3.3 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x TFT在逻辑器件应用中的比较研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（2）基于氧化锡锑和氧化铜的织物抗静电与抗菌整理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 抗静电 |
| 1.2.1 静电的产生 |
| 1.2.2 抗静电理论 |
| 1.2.3 抗静电方法 |
| 1.2.4 抗静电材料 |
| 1.2.5 抗静电测试指标 |
| 1.3 抗菌 |
| 1.3.1 抗菌机理 |
| 1.3.2 常见抗菌材料 |
| 1.3.3 抗菌整理的加工方法 |
| 1.4 纳米金属氧化物及其制备方法 |
| 1.4.1 溶胶凝胶法(sol-gel) |
| 1.4.2 水热法 |
| 1.4.3 化学共沉淀法 |
| 1.4.4 超声化学法 |
| 1.4.5 其他方法 |
| 1.5 氧化锡锑(ATO) |
| 1.5.1 ATO的性质与结构 |
| 1.5.2 ATO的应用与研究现状 |
| 1.5.3 ATO溶胶的制备和应用 |
| 1.6 氧化铜(CuO) |
| 1.7 本实验的主要研究内容及意义 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验器材 |
| 2.3 ATO抗静电涂层的抗静电性能探究 |
| 2.3.1 ATO浓度对于抗静电效果的影响 |
| 2.3.2 聚氨酯质量分数对于抗静电效果的影响 |
| 2.3.3 焙烘温度对于抗静电效果的影响 |
| 2.3.4 焙烘时间对于抗静电效果的影响 |
| 2.3.5 三因素正交试验 |
| 2.4 ATO溶胶的合成与抗静电性能测试 |
| 2.4.1 锡锑摩尔百分比对于ATO溶胶性能的影响 |
| 2.4.2 老化时间对于ATO溶胶性能的影响 |
| 2.4.3 焙烘温度对于织物抗静电性能的影响 |
| 2.4.4 焙烘时间对于织物抗静电性能的影响 |
| 2.4.5 ATO溶胶的抗静电正交实验 |
| 2.5 氧化铜棉织物的制备 |
| 2.5.1 棉织物的前处理 |
| 2.5.2 超声功率对于棉织物上氧化铜负载量的影响 |
| 2.5.3 溶液浓度对于棉织物上氧化铜负载量的影响 |
| 2.5.4 超声时间对于棉织物上氧化铜负载量的影响 |
| 2.5.5 烘干温度对于棉织物上氧化铜负载量的影响 |
| 2.6 测试与表征 |
| 2.6.1 场发射扫描电镜(FE-SEM)测试 |
| 2.6.2 X射线衍射(XRD)测试 |
| 2.6.3 X射线光电子能谱(XPS)测试 |
| 2.6.4 X射线能谱(EDS)测试 |
| 2.6.5 抗静电性能测试 |
| 2.6.6 抗弯刚度测试 |
| 2.6.7 抗紫外性能测试 |
| 2.6.8 抗菌性能测试 |
| 2.6.9 超景深三维显微镜测试 |
| 3 结果与讨论 |
| 3.1 ATO抗静电涂层织物 |
| 3.1.1 ATO浓度对于抗静电织物性能的影响 |
| 3.1.2 聚氨酯质量分数对抗静电织物性能的影响 |
| 3.1.3 焙烘温度对于抗静电织物性能的影响 |
| 3.1.4 焙烘时间对于抗静电织物性能的影响 |
| 3.1.5 ATO浓度,聚氨酯质量分数,焙烘温度的三因素的正交实验 |
| 3.1.6 水洗实验 |
| 3.2 ATO溶胶处理抗静电织物的制备 |
| 3.2.1 处理后织物的XRD分析 |
| 3.2.2 处理后织物的XPS分析 |
| 3.2.3 ATO的 EDS分析 |
| 3.2.4 锡锑摩尔百分比对于织物性能的影响 |
| 3.2.5 陈化时间对织物性能的影响 |
| 3.2.6 焙烘温度对于织物性能的影响 |
| 3.2.7 焙烘时间对于织物性能的影响 |
| 3.2.8 正交试验 |
| 3.2.9 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征 |
| 3.2.10水洗实验 |
| 3.3 纳米氧化铜抗菌棉织物的制备 |
| 3.3.1 整理后织物的的XRD图 |
| 3.3.2 处理后织物的XPS图 |
| 3.3.3 超声处理织物的EDS图 |
| 3.3.4 超声功率对于织物上氧化铜含量的影响 |
| 3.3.5 超声时间对于织物上氧化铜含量的影响 |
| 3.3.6 溶液浓度对于织物上氧化铜含量的影响 |
| 3.3.7 烘干温度与织物上氧化铜含量的影响 |
| 3.3.8 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征 |
| 3.3.9 抗菌测试 |
| 3.3.10 水洗实验 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 结论与展望 |
| 4.1 实验结论 |
| 4.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（3）浅色纤维状导电钛白的可控合成及其涂层应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 导电填料 |
| 1.1.1 导电填料概述 |
| 1.1.2 浅色导电填料的发展 |
| 1.2 导电二氧化钛 |
| 1.2.1 ATO概述 |
| 1.2.2 二氧化钛晶须的制备 |
| 1.2.3 二氧化钛材料的导电修饰 |
| 1.3 抗静电涂层织物 |
| 1.3.1 涂层织物概述 |
| 1.3.2 水性聚氨酯的性能介绍 |
| 1.4 本课题研究目的、意义及主要内容 |
| 1.4.1 研究目的与意义 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 第二章 离子交换法制备高纯水合钛酸晶须 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 2.2.2 实验过程 |
| 2.2.3 样品的性能表征 |
| 2.3 结论与分析 |
| 2.3.1 K_2Ti_4O_9晶须的生长 |
| 2.3.2 K~+/H~+离子交换的水合过程 |
| 2.3.3 离子交换动力学模型的建立与分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 TiO_2晶须的可控煅烧 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.2.3 样品的性能表征 |
| 3.3 结论与分析 |
| 3.3.1 TiO_2晶须的煅烧制备与晶型转化 |
| 3.3.2 TiO_2晶须的形貌分析 |
| 3.3.3 促进剂/抑制剂掺杂煅烧的探索 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 共沉淀法制备ATO@TiO_2 导电晶须的工艺优化 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 4.2.2 实验过程 |
| 4.2.3 样品的性能表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 (NaPO_3)_6 预处理对ATO@TiO_2 导电晶须性能的影响 |
| 4.3.2 包覆参数的优化 |
| 4.3.3 ATO@TiO_2 导电晶须的性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 抗静电涂层织物的制备及性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 5.2.2 实验过程 |
| 5.2.3 样品的性能表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 涂层的电学性能与白度的研究 |
| 5.3.2 涂层的微观形貌与红外分析 |
| 5.3.3 涂层织物的热性能分析 |
| 5.3.4 涂层织物的耐久性 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 :作者在攻读硕士学位期间发表的论文 |
（4）锰基铁基ABO3（A=La，Sr）型复合氧化物的合成及掺杂研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1.绪论 |
| 1.1 ABO_3复合氧化物 |
| 1.1.1 ABO_3复合氧化物的晶体结构 |
| 1.1.2 ABO_3复合氧化物的制备方法 |
| 1.2 ABO_3复合氧化物的性质 |
| 1.2.1 ABO_3复合氧化物催化性能 |
| 1.2.2 ABO_3复合氧化物磁学性能 |
| 1.3 ABO_3复合氧化物的掺杂研究 |
| 1.3.1 ABO_3复合氧化物催化性能的掺杂研究 |
| 1.3.2 ABO_3复合氧化物磁性的掺杂研究 |
| 1.4 课题研究目的、意义及内容 |
| 1.4.1 选题的目的、意义 |
| 1.4.2 课题研究内容 |
| 2.实验方法及性能表征 |
| 2.1 实验试剂和仪器 |
| 2.1.1 主要化学试剂 |
| 2.1.2 主要实验仪器 |
| 2.2 材料分析方法 |
| 2.2.1 X-射线衍射分析 |
| 2.2.2 SEM分析 |
| 2.2.3 DES分析 |
| 2.3 材料性能测试 |
| 2.3.1 光催化性能 |
| 2.3.2 磁学性能 |
| 3.La_(1-x)Sr_xMnO_3 系列氧化物的水热合成及性能表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 La_(1-x)Sr_xMnO_3 系列氧化物的水热合成 |
| 3.3 La_(1-x)Sr_xMnO_3 系列氧化物的水热合成条件分析讨论 |
| 3.3.1 反应时间对实验的影响 |
| 3.3.2 反应温度对实验的影响 |
| 3.3.3 矿化剂使用量对实验的影响 |
| 3.4 La_(1-x)Sr_xMnO_3 系列氧化物的性能及表征 |
| 3.4.1 La_(1-x)Sr_xMnO_3 系列氧化物的表征 |
| 3.4.2 La_(1-x)Sr_xMnO_3 系列氧化物的性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 4.LaMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的水热合成及性能表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 LaMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的水热合成 |
| 4.3 LaMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的水热合成条件分析讨论 |
| 4.3.1 反应温度对实验的影响 |
| 4.3.2 反应时间对实验的影响 |
| 4.3.3 矿化剂使用量对实验的影响 |
| 4.4 LaMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的性能及表征 |
| 4.4.1 LaMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的表征 |
| 4.4.2 LaMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的性能 |
| 4.5 本章小结 |
| 5.La_(1-x)Sr_xMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的水热合成及性能表征 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 La_(1-x)Sr_xMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的水热合成 |
| 5.3 La_(1-x)Sr_xMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的水热合成条件分析讨论 |
| 5.3.1 反应温度对实验的影响 |
| 5.3.2 反应时间对实验的影响 |
| 5.3.3 矿化剂使用量对实验的影响 |
| 5.4 La_(1-x)Sr_xMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的性能及表征 |
| 5.4.1 La_(1-x)Sr_xMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的表征 |
| 5.4.2 La_(1-x)Sr_xMn_(1-y)Fe_yO_3 系列氧化物的性能 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（5）TiO2复合氧化锡锑的可控制备及其导电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 导电材料 |
| 1.2.1 导电高分子材料 |
| 1.2.2 金属类导电材料 |
| 1.2.3 炭系导电材料 |
| 1.2.4 金属氧化物类导电材料 |
| 1.2.5 复合导电材料 |
| 1.3 纳米氧化锡锑(ATO)导电材料 |
| 1.3.1 ATO的结构、性质及应用 |
| 1.3.2 ATO粉体的主要制备方法 |
| 1.4 导电二氧化钛研究进展 |
| 1.4.1 TiO_2 的结构及性质 |
| 1.4.2 导电钛白的制备方法及应用 |
| 1.5 本课题的研究内容、特色及意义 |
| 2 聚合物热解法制备TiO_2/ATO复合材料及其电性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 仪器设备 |
| 2.2.3 制备方法与步骤 |
| 2.2.4 材料表征与电性能测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 TiO_2/ATO的制备与反应机制分析 |
| 2.3.2 TiO_2/ATO的物相结构分析 |
| 2.3.3 TiO_2/ATO的形貌分析 |
| 2.3.4 TiO_2/ATO的价态分析 |
| 2.3.5 TiO_2/ATO的光学性能分析 |
| 2.3.6 TiO_2/ATO的电学性能分析 |
| 2.4 负载型TiO_2/ATO复合材料导电机制 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 均匀沉淀法制备TiO_2@ATO复合材料及其导电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 仪器设备 |
| 3.2.3 制备方法与步骤 |
| 3.2.4 材料表征与导电性能测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 TiO_2@ATO的物相结构分析 |
| 3.3.2 TiO_2@ATO的形貌与成分 |
| 3.3.3 TiO_2@ATO的元素化学态 |
| 3.3.4 TiO_2@ATO前驱体的热失重分析 |
| 3.3.5 不同制备条件与产品导电性能的关联性 |
| 3.3.6 均匀沉淀法制备TiO_2@ATO的包覆与反应机制 |
| 3.4 包覆型TiO_2@ATO复合材料导电机制 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 配合-均匀沉淀法制备TiO_2@ATO复合材料及导电性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 仪器设备 |
| 4.2.3 制备方法与步骤 |
| 4.2.4 材料表征与导电性能测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 TiO_2@ATO的表面形貌分析 |
| 4.3.2 TiO_2@ATO的物相结构分析 |
| 4.3.3 TiO_2@ATO的元素及价态分析 |
| 4.3.4 TiO_2@ATO前驱体热重分析 |
| 4.3.5 TiO_2@ATO的制备条件优化 |
| 4.4 TiO_2@ATO的包覆反应与导电机制 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 论文创新点 |
| 5.3 思考与展望 |
| 参考文献 |
| 研究生期间主要科研成果 |
| 致谢 |
（6）正温度系数热敏材料的制备与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 主要符号表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 正温度系数热敏材料简介 |
| 1.2 正温度系数热敏材料的分类 |
| 1.3 钛酸钡基PTC热敏材料的研究状况 |
| 1.3.1 钛酸钡晶体结构 |
| 1.3.2 钛酸钡基热敏材料的PTC效应理论模型 |
| 1.3.3 掺杂对钛酸钡基PTC热敏材料的影响 |
| 1.3.4 烧结制度对钛酸钡基PTC热敏材料的影响 |
| 1.4 高分子基PTC热敏材料的研究状况 |
| 1.4.1 高分子基PTC热敏材料的导电机理 |
| 1.4.2 高分子基热敏材料的正温度系数效应机理 |
| 1.4.3 影响高分子基热敏材料PTC效应的因素 |
| 1.4.4 常温高分子基PTC热敏材料的制备研究现状 |
| 1.5 温度自适应加热系统 |
| 1.5.1 正温度系数热敏材料的应用领域 |
| 1.5.2自适应控温实验 |
| 1.6 本文的研究背景和内容 |
| 2 PTC热敏材料的制备和测试方法 |
| 2.1 钛酸钡基PTC热敏材料的制备及测试方法 |
| 2.1.1 制备钛酸钡基PTC热敏材料的实验原料及仪器设备 |
| 2.1.2 钛酸钡基PTC热敏材料的制备方法和流程 |
| 2.1.3 钛酸钡基PTC热敏材料的烧结制度 |
| 2.2 高分子基PTC热敏材料的制备及测试方法 |
| 2.2.1 制备高分子基PTC热敏材料的实验原料及仪器设备 |
| 2.2.2 高分子基PTC热敏材料的制备方法 |
| 2.2.3 高分子基PTC热敏材料的阻温特性测试步骤 |
| 2.3 PTC热敏材料的温控测试步骤 |
| 2.3.1 温控实验介绍 |
| 2.3.2 温控测试步骤 |
| 2.4 样品的表征仪器 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 钛酸钡基PTC热敏材料的制备与研究 |
| 3.1 研究方案的设计 |
| 3.2 样品的表征 |
| 3.2.1 样品的XRD分析 |
| 3.2.2 样品的SEM分析 |
| 3.3 掺杂对钛酸钡基PTC热敏材料的影响 |
| 3.3.1 掺杂对钛酸钡基PTC热敏材料的机理分析 |
| 3.3.2 双施主Nb2O_5、Ce_2O_3 掺杂钛酸钡基PTC热敏材料的影响 |
| 3.3.3 施受主Nb_2O_5、Ce_2O_3、Mn(NO_3)_2 共掺杂对钛酸钡基PTC热敏材料的影响 |
| 3.4 烧结制度对钛酸钡基PTC热敏材料的影响 |
| 3.4.1 烧结温度对样品的影响 |
| 3.4.2 保温时间对样品的影响 |
| 3.4.3 后处理对样品的电阻率—温度特性影响 |
| 3.5 钛酸钡基PTC热敏材料的温控测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 高分子基PTC热敏材料的制备与研究 |
| 4.1 研究方案的设计 |
| 4.2 石墨粉浓度对石蜡/聚乙烯基PTC热敏材料的影响 |
| 4.3 炭黑浓度对石蜡/聚乙烯基PTC热敏材料的影响 |
| 4.4 热处理对于高分子基PTC热敏材料的影响 |
| 4.4.1 热处理机理 |
| 4.4.2 结果与分析 |
| 4.5 高分子基PTC热敏材料的温控测试 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 发表相关论文 |
| 参考文献 |
（7）锆钛酸铅镧反铁电厚膜的制备及储能行为研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 反铁电材料 |
| 2.1.1 反铁电材料的发展历史 |
| 2.1.2 反铁电材料的应用 |
| 2.2 锆钛酸铅镧反铁电材料 |
| 2.2.1 锆钛酸铅镧反铁电材料简介 |
| 2.2.2 PLZT反铁电材料的结构 |
| 2.2.3 PLZT反铁电材料的性质 |
| 2.2.4 PLZT反铁电厚膜的制备方法 |
| 2.3 研究目的和主要内容 |
| 2.3.1 研究目的 |
| 2.3.2 研究主要内容 |
| 3 PLZT反铁电厚膜的制备及其表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验设备及药品 |
| 3.2.1 实验设备 |
| 3.2.2 实验材料 |
| 3.2.3 实验环境要求 |
| 3.3 底电极的制备 |
| 3.3.1 基片的清洗 |
| 3.3.2 LaNiO_3底电极的制备 |
| 3.4 PLZT厚膜的制备 |
| 3.4.1 PLZT前驱体溶液的制备 |
| 3.4.2 PLZT反铁电厚膜的制备 |
| 3.4.3 厚膜电极的制备 |
| 3.5 PLZT厚膜的表征方法 |
| 3.5.1 相结构及显微结构分析 |
| 3.5.2 反铁电性能的表征 |
| 3.5.3 介电性能表征 |
| 3.5.4 反铁电性能测试及储能行为的计算 |
| 3.5.5 反铁电厚膜击穿场强测试及计算 |
| 4 PLZT反铁电厚膜的制备工艺及参数优化 |
| 4.1 溶胶-凝胶法制备PLZT反铁电厚膜的制备及参数优化 |
| 4.1.1 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 4.1.2 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 4.1.3 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 4.1.4 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 4.1.5 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 4.1.6 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 4.1.7 晶化温度T对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 4.1.8 晶化温度T对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 4.1.9 晶化温度T对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 4.2 PVP改性的PLZT反铁电厚膜的制备及参数优化 |
| 4.2.1 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 4.2.2 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 4.2.3 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚击穿场强的影响 |
| 4.2.4 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 4.2.5 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 4.2.6 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 4.2.7 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜击穿场强的影响 |
| 4.2.8 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 厚度及组分梯度对反铁电厚膜结构和储能行为的研究 |
| 5.1 厚度对PLZT反铁电厚膜和储能行为的影响 |
| 5.1.1 厚度对PLZT反铁电厚膜的显微结构的影响 |
| 5.1.2 厚度对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 5.1.3 厚度对PLZT反铁电厚膜击穿电场的影响 |
| 5.1.4 厚度对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 5.2 组分梯度对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 |
| 5.2.1 组分梯度对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 5.2.2 组分梯度对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 5.2.3 组分梯度对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 组分对反铁电厚膜结构和储能行为的研究 |
| 6.1 镧含量对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 |
| 6.1.1 镧含量对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 6.1.2 镧含量对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 6.1.3 镧含量对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 6.2 Zr/Ti比对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 |
| 6.2.1 Zr/Ti比对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 6.2.2 Zr/Ti比对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 6.2.3 Zr/Ti比对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 6.3 Zr/Sn比对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 |
| 6.3.1 Zr/Sn比对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 6.3.2 Zr/Sn比对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 6.3.3 Zr/Sn比对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 6.4 Sn/Ti比对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 |
| 6.4.1 Sn/Ti比对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 6.4.2 Sn/Ti比对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 6.4.3 Sn/Ti比对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 锰掺杂对反铁电厚膜结构和储能行为的影响 |
| 7.1 锰含量对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 7.2 锰含量对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 7.3 锰含量对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 7.4 本章小结 |
| 8 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜的结构和性能的影响 |
| 8.1 样品制备 |
| 8.1.1 氧化物胶体的制备 |
| 8.1.2 氧化物缓冲层和覆盖层的制备 |
| 8.2 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 |
| 8.2.1 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 8.2.2 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 8.2.3 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜击穿电场的影响 |
| 8.2.4 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 8.3 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 |
| 8.3.1 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 |
| 8.3.2 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 |
| 8.3.3 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜击穿电场的影响 |
| 8.3.4 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 |
| 8.4 本章小结 |
| 9 结论 |
| 10 创新点 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（8）电池负极合金新材料的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 锂离子电池的特点 |
| 1.2.1 锂离子电池的优缺点 |
| 1.2.2 锂离子电池负极材料的特点 |
| 1.3 锂离子电池的结构与工作原理 |
| 1.3.1 锂离子电池的结构 |
| 1.3.2 锂离子电池的工作原理 |
| 1.4 锂离子电池负极的研究现状 |
| 1.4.1 碳类负极材料 |
| 1.4.2 硅类负极材料 |
| 1.4.3 锡基类负极材料 |
| 1.4.4 钛基类负极材料 |
| 1.4.5 新型结构的纳米负极材料 |
| 1.5 Al_(63)Cu_(25)Fe_(12)准晶材料 |
| 1.6 实验目的与意义 |
| 第二章 实验材料及测试方法 |
| 2.1 实验材料与仪器 |
| 2.1.1 实验药品 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 电极材料的的制备和电池装配 |
| 2.2.1 纯硅/石墨合金材料的制备 |
| 2.2.2 准晶Al_(63)Cu_(25)Fe_(12)合金的制备 |
| 2.2.3 电极片的制备 |
| 2.2.4 扣式电池的装配 |
| 2.3 材料的结构与性能表征方法 |
| 2.3.1 组成及结构表征方法 |
| 2.3.2 电化学性能表征方法 |
| 第三章 硅/石墨合金负极材料的研究 |
| 3.1 不同掺杂比的硅/石墨SEM图像及分析 |
| 3.2 不同掺杂比的硅/石墨XRD图像及分析 |
| 3.3 不同掺杂比的硅/石墨充放电曲线及分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 准晶合金负极材料的研究 |
| 4.1 准晶合金材料的组成与结构分析 |
| 4.1.1 准晶合金材料的XRD分析 |
| 4.1.2 熔炼后材料的SEM分析 |
| 4.1.3 热处理后材料的SEM分析 |
| 4.2 准晶合金材料的电化学性能分析 |
| 4.2.1 不同放电倍率下材料的电性能分析 |
| 4.2.2 材料的库伦效率分析 |
| 4.2.3 热处理后材料的单次C-V分析 |
| 4.2.4 反应机理分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（9）稀土—锑共掺杂SnO2/Ti电极材料的制备及催化性能（论文提纲范文）
| 目录 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 前言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 电化学在水处理方面的研究进展及应用 |
| 1.2.1 电化学技术概述 |
| 1.2.2 电化学水处理研究现状 |
| 1.2.3 电化学氧化技术研究进展及应用 |
| 1.2.3.1 直接电化学氧化 |
| 1.2.3.2 间接电化学氧化 |
| 1.3 涂层氧化物电极研究进展及应用 |
| 1.3.1 涂层电极基底的选择 |
| 1.3.2 金属氧化物涂层的种类 |
| 1.4 稀土的研究进展及应用 |
| 1.4.1 稀土简介 |
| 1.4.2 稀土在各领域的研究进展 |
| 1.4.3 稀土在废水处理中的应用进展 |
| 1.5 本论文主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第2章 不同稀土掺杂对 Ti/ SnO_2-Sb 电极催化性能影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.1.1 SnO_2性质 |
| 2.1.2 稀土掺杂 Ti/ SnO_2-Sb 电极性质 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 试验仪器及试剂 |
| 2.2.2 涂层制备 |
| 2.2.3 电极制备 |
| 2.2.4 Ti/ SnO_2-Sb-X 复合电极的表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 不同稀土掺杂电极 XRD 分析 |
| 2.3.2 不同稀土掺杂电极 SEM 分析 |
| 2.3.3 复合电极表面电阻分析 |
| 2.3.4 电极催化降解性能 |
| 2.3.4.1 Ti/SnO_2-Sb 电极电催化降解性能 |
| 2.3.4.2 Ti/SnO_2-Sb-Ce 电极电催化降解性能 |
| 2.3.4.3 Ti/SnO_2-Sb-Sm 电极电催化降解性能 |
| 2.3.4.4 Ti/SnO_2-Sb-Gd 电极电催化降解性能 |
| 2.3.4.5 Ti/SnO_2-Sb-Eu 电极电催化降解性能 |
| 2.3.4.6 掺杂电极催化性能比较分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 稀土 Eu 掺杂 Ti/SnO_2-Sb 电极电催化性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 稀土 Eu 掺杂电极进展 |
| 3.1.2 光学能量带隙 |
| 3.1.3 乙醇催化氧化 |
| 3.2 试验部分 |
| 3.2.1 试验仪器及试剂 |
| 3.2.2 涂层制备 |
| 3.2.3 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 电极制备 |
| 3.2.4 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 复合电极的表征 |
| 3.2.5 电催化降解甲基橙性能测试 |
| 3.2.6 电催化氧化乙醇测试 |
| 3.3 试验结果与讨论 |
| 3.3.1 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 电极 XRD 分析结果 |
| 3.3.2 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 电极金相光学显微镜分析结果 |
| 3.3.3 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 电极 XPS 分析结果 |
| 3.3.4 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 电极电催化降解性能 |
| 3.3.5 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 电极电催化氧化乙醇性能 |
| 3.3.6 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 电极光学能带的测定 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 不同阴离子 Eu 盐掺杂 Ti/ SnO_2-Sb 电极的催化性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 阴、阳离子效应 |
| 4.1.2 钛基 SnO_2电极的发展 |
| 4.1.3 甲基橙、亚甲基蓝简介 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 试验仪器及试剂 |
| 4.2.2 涂层制备 |
| 4.2.3 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 电极制备 |
| 4.2.4 Ti/ SnO_2-Sb-Eu 复合电极的表征 |
| 4.2.5 电催化降解甲基橙、亚甲基蓝测试 |
| 4.2.6 电催化氧化乙醇测试 |
| 4.2.7 电极动力学规律 |
| 4.3 试验结果与讨论 |
| 4.3.1 不同 Eu 盐掺杂电极 XRD 分析结果 |
| 4.3.2 不同 Eu 盐掺杂电极 SEM 分析结果 |
| 4.3.3 不同 Eu 盐掺杂电极 XPS 分析结果 |
| 4.3.4 不同 Eu 盐掺杂电极降解性能分析 |
| 4.3.5 不同 Eu 盐掺杂电极对催化氧化乙醇分析 |
| 4.3.6 电极降解动力学规律分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 论文总结及展望 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（10）Sm3+掺杂Ti/SnO2-Sb电极的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 插图索引 |
| 插表索引 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 |
| 1.2 课题的研究现状 |
| 1.2.1 阳极材料的选择 |
| 1.2.2 DSA 电极的国内外研究现状 |
| 1.2.3 DSA 电极的制备方法 |
| 1.2.4 DSA 电极的应用 |
| 1.2.5 DSA 电极电催化降解性能的影响因素 |
| 1.3 电化学处理废水的机理 |
| 1.3.1 直接电解 |
| 1.3.2 间接电解 |
| 1.4 掺杂钛基锡锑电极的研究现状及问题 |
| 1.5 研究内容 |
| 第2章 Sb 掺杂 Ti/SnO2-Sb 电极的制备及性能研究 |
| 2.1 实验过程 |
| 2.1.1 实验药品 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.1.3 实验流程 |
| 2.1.4 电极性能测试 |
| 2.2 实验结果分析 |
| 2.2.1 Sb 掺杂比例对 Ti/SnO_2-Sb 电极性能的影响 |
| 2.2.2 热处理温度对 Sb 掺杂 Ti/SnO_2-Sb 性能的影响 |
| 2.3 小结 |
| 第3章 Sm~(3+)掺杂 Ti/SnO_2-Sb 电极的制备及性能研究 |
| 3.1 实验过程 |
| 3.1.1 实验药品 |
| 3.1.2 实验仪器 |
| 3.1.3 实验流程 |
| 3.1.4 电极性能测试 |
| 3.2 实验结果分析 |
| 3.2.1 Sm~(3+)掺杂比例对 Ti/SnO_2-Sb 电极性能的影响 |
| 3.2.2 热处理温度对 Sm~(3+)掺杂 Ti/SnO_2-Sb 电极性能的影响 |
| 3.3 小结 |
| 结论及建议 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 A 攻读学位期间发表的论文 |
四、掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响（论文参考文献）
- [1]溶液法制备氧化物薄膜晶体管及在逻辑器件中的应用研究[D]. 杨兵. 安徽大学, 2020(02)
- [2]基于氧化锡锑和氧化铜的织物抗静电与抗菌整理研究[D]. 章佳杰. 东华大学, 2020(01)
- [3]浅色纤维状导电钛白的可控合成及其涂层应用[D]. 王明序. 江南大学, 2020(01)
- [4]锰基铁基ABO3（A=La，Sr）型复合氧化物的合成及掺杂研究[D]. 李书典. 西安工业大学, 2020(04)
- [5]TiO2复合氧化锡锑的可控制备及其导电性能研究[D]. 王亚男. 渤海大学, 2020(12)
- [6]正温度系数热敏材料的制备与研究[D]. 张宏亮. 南京理工大学, 2019(06)
- [7]锆钛酸铅镧反铁电厚膜的制备及储能行为研究[D]. 张利文. 北京科技大学, 2019(02)
- [8]电池负极合金新材料的研究[D]. 郭亚楠. 天津理工大学, 2016(04)
- [9]稀土—锑共掺杂SnO2/Ti电极材料的制备及催化性能[D]. 刘超. 山东师范大学, 2013(09)
- [10]Sm3+掺杂Ti/SnO2-Sb电极的制备及性能研究[D]. 秦瑞焕. 兰州理工大学, 2012(10)
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