一、弛豫铁电体有序—无序转变理论及进展（论文文献综述）
王家乐[1]（2021）在《钛酸铋钠基无铅压电陶瓷局域应力场的构建及压电性能研究》文中提出钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3,简称BNT)陶瓷是一种在室温下具有R3c相结构的A位复合钙钛矿铁电材料,具有高居里温度、大的电致应变、良好的弛豫特性和机电耦合性能等特点,有望应用于致动器、滤波器、超声换能器等领域。但是,BNT基陶瓷材料还存在一些问题,如较大的矫顽场和大的应变迟滞,较低的退极化温度（Td）使得陶瓷器件的工作温区较低,限制了 BNT基材料在实际中的应用。因此,本论文以BNT陶瓷为基体,通过热处理工艺和复合氧化物的方式来提高BNT基陶瓷退极化温度、降低其应变迟滞,并探究其中的作用机理。（1）采用固相反应法制备了0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3（BNT-6BT）陶瓷,通过不同的热处理方式,研究了淬火对BNT-6BT陶瓷退极化温度的影响及其机理。介电温谱显示空气淬火和液氮淬火后的样品均表现出更高的弛豫-铁电相转变温度（TF-R）,压电常数（d33）随温度变化图显示淬火可以提高BNT-6BT陶瓷的退极化温度。而液氮淬火氧气退火和液氮淬火氮气退火后样品的TF-R又恢复到原来的温度,结合阻抗测试结果推测BNT-6BT陶瓷退极化温度升高的主要原因不是氧空位,而是淬火后引入的内应力。淬火后的陶瓷中存在应力场,其稳定了铁电相的长程序参量,从而提高了退极化温度。（2）采用固相反应法制备了0.97(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-0.03AgNbO3（BNT-6BT-3AN）陶瓷,在空气中对样品在不同淬火温度进行淬火处理,研究了淬火对BNT-6BT-3AN陶瓷的铁电及压电性能的影响机理。铁电和介电测试证明了遍历性弛豫铁电体BNT-6BT-3AN陶瓷在1000℃以上淬火后会转变为非遍历性弛豫铁电体。600℃退火后,1000℃下淬火的样品恢复为遍历性,而1100℃下淬火的样品依然为非遍历性。XRD精修和Raman测试结果表明淬火不仅可以增加三方相含量和晶格畸变,还可以增加淬火后Bi离子位置的偏移及其周围离子的有序性,从而实现同一组分的样品由遍历性向非遍历性的转变。（3）采用两步固相烧结法制备了0.94Bi0.5Na0.5Ti03-0.06BaTiO3:xZnO（x=0.1,0.2;ZnO粒径分别为纳米级、微米级,形貌为纳米颗粒和纳米棒）复合陶瓷,研究不同粒径和形貌ZnO对BNT-6BT陶瓷压电性能的影响。复合不同粒径和形貌ZnO后均可以提高陶瓷的退极化温度。复合0.1ZnO样品的d33均高于复合0.2ZnO样品的d33。复合陶瓷均出现第二相Zn2TiO4,且第二相并非铁电体,导致BNT-6BT陶瓷铁电性能降低。（4）采用两步固相烧结法制备了0.97(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-0.03AgNbO3:xZnO（x=0,0.01,0.03,0.05）复合陶瓷,研究复合 ZnO 对 BNT-6BT-3AN陶瓷压电性能的影响。结合XRD和EDS表明ZnO与基体发生化学反应生成第二相Zn2TiO4,且Zn2+固溶进BNT-6BT-3AN基体中。随着ZnO含量的增加,复合陶瓷由遍历性转变为非遍历性,当x=0.05时又表现出较小的负应变。复合ZnO后,第二相附近的晶粒表现出核-壳（P4bm/R3c-R3c）结构,靠近第二相的壳为具有铁电性的R3c相,与远离第二相的核为具有弛豫特性的P4bm相及少量的R3c相,两相之间产生耦合,导致BNT-6BT-3AN在施加电场诱导相变时变形受约束,降低了应变迟滞,并且电致应变具有良好的温度稳定性。
仲晓羽[2]（2021）在《(1-x)（Ba,Li）TiO3-xBiMeO3陶瓷的制备及其储能特性研究》文中指出电介质储能陶瓷电容器由于具有功率密度高,充放电速率快,温度稳定性好,抗老化性强等优点,被广泛应用于混合动力汽车、医疗激光、石油勘探等领域。Ba TiO3（BT）陶瓷较大的介电常数和较高的极化强度对其储能特性的开发具有重要的意义。但是由于BT陶瓷剩余极化强度Pr大、击穿场强Eb低、介温稳定性差等缺点,使得陶瓷样品很难获得优越的储能性能。本文将Li2CO3掺杂到BT陶瓷中获得Ba1-xLixTiO3陶瓷,在此基础上,将Bi（B’,B’’）O3引入Ba1-xLixTiO3基质中,构造（1-x）Ba1-xLixTiO3-x Bi（B’B’’）O3弛豫铁电体陶瓷(其中B’B’’=Y3+、Al3+;B’=Mg2+;B’’=Sn4+、Nb5+)。利用弛豫铁电体中极性纳米微区（polar nanoregions,PNRs）的生成降低矫顽场和剩余极化强度;同时利用弛豫铁电体的弥散相变行为提高材料的温度稳定性,进而获得良好的储能性能。主要研究内容如下:（1）通过固相烧结法在1250℃温度下烧结2小时制得（1-x）Ba0.98Li0.02TiO3-x Bi(Mg1/2Sn1/2)O3陶瓷样品,根据XRD分析可知,每个组分陶瓷均形成了单相固溶体,基本无杂相。在x=0.05附近发生了相转变,陶瓷从四方对称转变为立方对称。在x≤0.05存在四方相与正交相共存;x>0.05存在立方相与正交相共存。（200）衍射峰随着取代量的增加向小角度偏移,表明晶胞体积的增大。陶瓷的晶粒分布均匀、晶界清晰、气孔率低,有利于击穿场强的提高。当x=0.06时,γ值为1.792,此时弛豫程度最高。（1-x）Ba0.98Li0.02TiO3-x Bi(Mg1/2Sn1/2)O3系列陶瓷获得的最大击穿场强65 k V/cm,最大储能密度0.159 J/cm3,最佳储能效率73.23%。（2）通过固相烧结法在1250℃温度下烧结2小时制得（1-x）Ba0.98Li0.02TiO3-xBiYO3陶瓷样品,根据XRD分析可知,每个组分陶瓷均形成了单相固溶体,基本无杂相,表明Bi3+和Y3+进入BLT晶格形成完整固溶体。在x=0.06附近发生了相转变,结合WINPLOTR拟合图与拉曼图,当x≤0.06存在四方相与正交相共存;x>0.06存在立方相与正交相共存。（200）衍射峰随着取代量的增加向小角度偏移,表明晶胞体积的增大。当x=0.06时,γ值为1.98,此时弛豫程度最高。（1-x）Ba0.98Li0.02TiO3-xBiYO3系列陶瓷获得的最大击穿场强65 k V/cm,最大储能密度0.289 J/cm3,最佳储能效率80.05%。（3）通过固相烧结法在1250℃温度下烧结2小时制得（1-x）Ba0.98Li0.02TiO3-xBiAlO3陶瓷样品,根据XRD分析可知,每个组分陶瓷均形成了单相固溶体,基本无杂相。在x=0.05附近发生了相转变,陶瓷从四方对称转变为立方对称。（200）衍射峰随着取代量的增加向小角度偏移,表明晶胞体积的增大。从SEM图中观察到,晶粒尺寸减小,这是因为Bi的熔点低,在烧结过程中形成液相,细化了陶瓷晶粒。对（1-x）Ba0.98Li0.02TiO3-xBiAlO3系列陶瓷,当x=0.10时,最大击穿场强60k V/cm,最大储能密度0.22 J/cm3,最优储能效率为60.36%。（4）通过固相烧结法在1150℃温度下烧结2小时制得（1-x）Ba0.96Li0.04TiO3-x Bi(Mg2/3Nb1/3)O3陶瓷样品,由XRD分析可知,所有组分陶瓷样品均表现出单一钙钛矿结构,基本无杂相,表明Bi3+和(Mg2/3Nb1/3)3+进入BLT晶格形成完整固溶体。陶瓷样品在x=0.04～0.06附近发生相转变。（200）衍射峰随着取代量的增加向小角度偏移,表明晶胞体积的增大。在x>0.06时,介电峰发生弥散行为,大幅度宽化,此时已转变为弛豫铁电体。（1-x）Ba0.96Li0.04TiO3-x Bi(Mg2/3Nb1/3)O3系列陶瓷最大击穿场强是72.5 k V/cm,最大储能密度0.2938 J/cm3,最佳储能效率85.34%。
张苗苗[3]（2021）在《铅基铁电薄膜的电卡及储能效应研究》文中提出铁电/反铁电薄膜在芯片级电卡制冷领域具有潜在的应用前景,对于解决集成电路中微电子器件的散热问题具有重要的科学意义。此外,由于其具有高的功率密度、快的放电速率、稳定的储能特性、长的循环寿命及绿色环保等特点,还可广泛应用于先进电磁脉冲武器、高功率雷达、关键医疗器件、新能源汽车等领域。本论文利用溶胶凝胶法在Nb掺杂SrTiO3（STO）单晶衬底上制备了 BiFeO3和La共掺杂的Pb(Zr0.70Ti0.30)O3外延级铁电薄膜,系统研究了取向对其电卡制冷与储能效应的影响;在LaNiO3和Pt（111）/TiOx/SiO2/Si（100）复合衬底上制备了 Nb 掺杂的 Pb(Zr0.65Sn0.3Ti0.05)O3弛豫反铁电薄膜,系统分析了频率对其电卡制冷与储能效应的影响。研究结果表明:（1）利用sol-gel技术成功的在Nb掺杂的SrTiO3（STO）单晶衬底上制备出了高质量的BiFeO3和La共掺杂的PZT外延级铁电薄膜。通过衬底的取向调控,结合电场、应力场、温度场等的耦合发现沉积在（100）、（110）以及（111）取向衬底上的外延级薄膜中均获得了两个电卡制冷温度变化峰,一个位于室温附近,另一个位于其介电峰值温度附近。对于（111）取向的薄膜在室温附近的电卡效应比（100）以及（110）取向的薄膜要大,在1956 kV/cm的电场下其电卡制冷温度变化（ΔT）约20.6 K;相比之下,（100）和（110）取向的薄膜在介电峰值温度（Tm～375 K）附近则展现出更大的电卡制冷温度变化,在1852 kV/cm的电场下,（100）取向薄膜的ΔT约18.8 K,在1230 kV/cm的电场下,（110）取向薄膜的ΔT约20.8 K。当外加电场的方向由正变为负,（100）取向薄膜在Tm温度附近的ΔT将被显着提升至38.1 K。这一实验现象可归结于薄膜制备过程中因衬底与薄膜之间晶格失配产生的面外拉伸应变而导致的自我诱导极化作用。此外,三个取向薄膜均获得了较高的储能密度、较好的储能效率以及较高的温度稳定性。在约2200 kV/cm的电场下,其储能密度分别为 34.6 J/cm（100）、33.0 J/cm（110）和 28.6 J/cm（111）,其储能效率分别为 85%（100）、76%（110）和 66%（111）。对于薄膜的电卡制冷与储能效应,除了取向对其有重要影响之外,应用频率对薄膜性能的影响也不容忽视,因此:（2）利用宏观唯象统计模型得到了不同频率下偶极子对薄膜的介电响应的贡献,进而发现了频率变化对薄膜的电卡制冷效应有较大影响。在室温附近（～293 K）和10 kHz下,PZST反铁电薄膜获得了较大的正电卡效应,其ΔT和ΔS分别为13.3 K和-13.6 J/K·kg;在其介电峰值温度附近（～425 K）和100 Hz下,获得了一个较大的负电卡效应,其ΔT和ΔS分别为-5.8 K和4.5 J/K·kg。其正和负电卡效应温度变化绝对值对所施加的频率较为敏感,当频率增加时,其正电卡效应倾向于增加,而负电卡效应则倾向于降低。该现象主要归结于在[111]方向电场诱导作用下薄膜中的四方相向三方相的相转变以及缺陷偶极子的耦合作用。10 kHz下,其电卡制冷效率（COP）和电卡制冷强度（ΔT/ΔE）分别为～3.37和0.01 K·cm/kV。此外,在电场约为2159 kV/cm时,在100 Hz、1 kHz和10 kHz三个频率下,其储能密度分别为～15.7 J/cm3、～16.3 J/cm3和～17.0 J/cm3,储能效率分别为42%、48%和50%。
吕俊虎[4]（2021）在《钛酸铋钠基铁电陶瓷的介电储能特性研究》文中认为随着现代科学技术和人类生活水平的不断发展,先进储能材料在航空航天、石油钻探和电磁脉冲武器等领域中发挥着越来越重要的作用。储能器件的进步关键在于储能新材料的突破。众所周知,能量密度和功率密度是衡量储能材料性质的重要参数。在实际生产应用中,储能材料的储能密度较低,制约新能源发展的技术瓶颈,因此,我们期望寻找高性能的储能材料,推动储能技术的发展。本论文采用传统固相烧结法制备了四个系列的Bi0.5Na0.5TiO3基铁电陶瓷:（1-x）（0.8OBi0.5Na0.5TiO3-0.20Bi0.5K0.5TiO3）-xBi（Mg2/3Nb1/3）O3（简写为:BNT-0.20BKT-xBMN）和（1-x）（0.80Bi0.5Na0.5TiO3-0.20Bi0.5K0.5TiO3）-xCaAl0.5Ta0.5O3（简写 为:BNT-0.20BKT-xCAT）,（1-x）（0.80Bi0.5Na0.5TiO3-0.20Bi0.5K0.5TiO3）-xSrAl0.5Ta0.5O3（简 写 为:BNT-0.20BKT-xSAT）,（1-x）（0.80Bi0.5Na0.5TiO3-0.20Bi0.5K0.5TiO3）-xBaAl0.5Ta0.5O3（简写为:BNT-0.20BKT-xBAT）。铁电性能测试表明,随掺杂量x的增加,剩余极化强度Pr和矫顽场Ec都在降低,得到‘细瘦’的电滞回线。综合分析,得到四个系列的陶瓷储能样品储能性质的最优值为:（1）BNT-0.20BKT-xBMN在x=0.16时,储能性质达到最佳;击穿电场为135.0 kV/cm,储能密度为1.75 J/cm3,同时储能效率为85.2%（2）BNT-0.20BKT-xCAT在x=0.10时,储能性质达到最佳;击穿电场为180.0 kV/cm,储能密度为5.28 J/cm3,同时储能效率为71.2%（3）BNT-0.20BKT-xSAT在x=0.10时,储能性质达到最佳;击穿电场为135.0 kV/cm,储能密度为2.41 J/cm3,同时储能效率为86.3%（4）BNT-0.20BKT-xBAT陶瓷材料中,x=0.10时,储能性质达到最佳;击穿电场为210.0 kV/cm,储能密度为4.57 J/cm3,同时储能效率为84.0%与此同时,对 BNT-0.20BKT-0.16BMN、BNT-0.20BKT-0.10CAT、BNT-0.20BKT-0.10SAT、BNT-0.20BKT-0.10BAT四个系列储能性质的温度稳定性进行测试,分析结果为:（1）BNT-0.20BKT-0.16BMN样品测试温度在30-180℃时,得到有效储能密度的变化量小于17.1%;同时储能效率保持在80.0%以上。（2）BNT-0.20BKT-0.10CAT陶瓷储能材料测试温度在23-120℃时,有效储能密度的变化量小于24.2%;同时储能效率保持在75.8%以上。（3）BNT-0.20BKT-0.10SAT陶瓷储能材料测试温度在25-90℃时,有效储能密度的变化量小于8.3%;同时储能效率保持在76.8%以上。（4）BNT-0.20BKT-0.10BAT陶瓷储能材料测试温度在24-130℃时,有效储能密度的变化量小于5.1%;同时储能效率保持在88.0%以上。综上所述,本论文通过在BNT-0.20BKT基础上引入第三元的方法,得到高储能密度和高储能效率的陶瓷材料,为储能技术的应用提供更多的备选材料。
花苗苗[5]（2021）在《硝酸盐配合物的结构相变与性质研究》文中提出结构相变是材料的晶体结构在受到温度、压力等外界刺激下发生变化而产生对称性破缺的相变,它是相变的基本特征。为了获得具有良好性质的相变材料,晶体需要被诱导发生结构相变。本论文详细描述了一价阴离子硝酸根作为桥连配体合成的一系列化合物,并对这些化合物晶体进行结构相变研究。除此之外,还通过各种表征（X射线单晶衍射仪、差示扫描量热仪、变温介电测量仪等）来分析这些化合物性质。硝酸盐配合物在铁电、可调光致发光性等方面实现,其结构、热力学等方面的研究会使人们产生极大的兴趣,同时也为铁电材料内容注入新的活力,进而发现新的潜在应用。本论文的主要研究内容如下:（1）所有晶体都是不理想,其许多特性通常不是由原子的规则排列决定的,而是由晶体缺陷的不规则排列决定的。正确使用固体缺陷可以有效地控制材料的许多性能。这里描述了伪配位聚合物（H2dabco）2M（H2O）2（NO3）6(dabco=1,4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷,M=Cd2+或Cu2+)中金属空位诱导的铁电。通过将二价M离子掺杂到（H2dabco）（NH4）（NO3）中,获得了M空位（VM）化合物（H2dabco）2（M（H2O）2）x（NH4）2-2x（NO3）6（0≤x≤1）。VM的配位扭曲会导致晶格不稳定,结构相变以及明显的铁电性和相关特性。通过调整M离子/空位的含量,我们可以调节晶体的对称性和铁电性,这表明空位可以用作产生铁电的元素。这一发现将刺激进一步合成新特性,并可能开启金属-空位配位化合物的化学反应。（2）理想的铁电材料钙钛矿现已扩展到混合材料,然而主要限于碱金属/NH4+卤化物和金属甲酸盐。为了获得新的功能或者更好的性能混合钙钛矿铁电体。将一价硝酸根作为桥连配体,设计了MX3型杂化钙钛矿的新家族AM（NO3）3（A是有机阳离子,M是碱金属离子）,成功合成了四种化合物。结果表明,硝酸钙钛矿提供了实现新性能的有前途的平台,结构多样性和可调节的铁电特性使其适用于广泛的潜在应用,且可以通过使用硝酸根作为X位阴离子来制备更多的杂化钙钛矿。（3）合成一种新的杂化发光材料化合物:（3HQ）4[Rb Eu（NO3）8]（3HQ=3-奎宁环酮）,它在Tc=438K发生可逆相变和可切换的介电反常行为。同时还鉴定发现了该化合物在紫外光下,无色的样品能发出明亮的橙红色光。杂化稀土双钙钛矿有望在制备多功能光响应和电响应器件方面发挥作用,最终有利于刺激响应材料的应用。
陈培[6]（2021）在《(Nb5+-Cr3+)离子对掺杂BNT-7BT陶瓷的观结构和电性能研究》文中研究指明钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3)基陶瓷具有优良的压电性能和铁电性能,是具有潜力取代铅基陶瓷的一种无铅压电材料候选材料,在压电驱动器、敏感传感器、脉冲储能电容器等领域有广阔的应用前景。基于准同相界区组成0.93Bi0.5Na0.5TiO3-0.07Ba TiO3陶瓷（本文简称为BNT-7BT）具有优良的压电铁电性能,以及离子对改性能进一步提高压电陶瓷的电性能,以钙钛矿结构的BNT-7BT陶瓷为基体材料,采用传统固相合成法制备了离子对(Nb5+-Cr3+)改性陶瓷[(Ba0.5Na0.5)0.93Ba0.07Ti1-x(Nb0.5Cr0.5)xO3,x=0,0.5%,1%,2%,2.5%,5%),本文简称为BNBT-xNC陶瓷],通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、拉曼散射光谱、阻抗分析仪、综合铁电测试系统等表征手段,系统研究了BNBT-xNC陶瓷的微观结构、弱场/高场压电性能、介电性能及铁电性能,分析了离子对(Nb5+-Cr3+)掺杂对陶瓷微观结构与电性能影响规律,主要结果如下:（1）研究了BNBT-xNC陶瓷极化前后的晶体结构和弱场压电性能。XRD和拉曼光谱分析表明,离子对(Nb5+-Cr3+)对极化前BNBT-xNC陶瓷的晶体结构影响不明显,所有组成均为伪立方相。极化后BNBT-xNC陶瓷晶体结构受离子对含量的影响非常显着,随离子对含量增加,BNBT-xNC陶瓷从四方相（x=0%）,转变为四方相-伪立方相共存（0.5%≤x≤2.5%）,在x=5%时,转变为伪立方相。陶瓷表面形貌结果表明,随着离子对(Nb5+-Cr3+)含量增大,其平均晶粒尺寸由8.74μm降低到3.98μm。弱场压电性能测试表明,压电常数d33和平面机电耦合系数kp在0≤x≤2%范围内递增,在2.5%≤x≤5%范围内下降。适量离子对(Nb5+-Cr3+)改性明显提高弱场压电响应,在x=2%时,d33与kp达到最大值d33=200 p C/N和kp=0.49。（2）研究了BNBT-xNC陶瓷极化前后的介电温谱。结果表明,极化前BNBT-xNC陶瓷表现出频率色散和弥散相变的弛豫特性,介电常数最大值εm与最大值对应的温度Tm随离子对含量增加单调降低。对比极化前后的介电温谱,发现离子对(Nb5+-Cr3+)改性明显改变陶瓷的铁电弛豫特性,在较低掺杂浓度下（0%≤x≤1%）为非遍历弛豫态,随含量增加（1%≤x≤2.5%）,出现非遍历-遍历弛豫态共存,最后转变为遍历弛豫态（x=5%）。（3）研究了BNBT-xNC陶瓷不同电场和温度下的铁电性能和高场应变性能。结果表明,离子对含量对室温下初始态铁电性能与应变性能产生明显的影响。在离子对含量较低时,初始态陶瓷的电滞回线、电流曲线、应变曲线与第二次电场作用下的特性存在显着差异,随含量增加这种差异减弱,最后基本消失,其对应着非遍历-非遍历/遍历共存-遍历弛豫铁电态转变。随离子对含量增加,最大应变Smax及应变压电常数d*33先增加后降低,在非遍历-遍历铁电弛豫态共存的组成（x=2.0%）达到最大值Smax=0.22%,d*33=431pm/V。不同电场下的电性能研究表明,随着电场增大,陶瓷铁电性增强,应变性能增加,Smax、正向压电常数d*33S+、负向压电常数d*33S-随着电场增加而增加。变温双极电性能研究表明,随着温度的升高,双极电滞回线、电流密度曲线、应变曲线性质有明显的差异,低于TF-R时随着温度升高,d*33增加;在TF-R附近(略低于TF-R)随温度升高,陶瓷发生相转变,d*33S+增加且增幅较大,d*33S-减小;高于TF-R时陶瓷为遍历弛豫态,Smax、d*33减小。单极应变压电常数d*33的结果表明,在离子对含量较低的非遍历弛豫态的组成范围内（0≤x≤0.5%）,d*33随温度的增加一直增加;非遍历-遍历铁电弛豫态共存的组成（x=2.5%）范围内,其d*33先增加后降低;而在遍历铁电弛豫态的组成（x=5.0%）内,其d*33一直降低。
何自凤[7]（2021）在《宽温稳定型钛酸锶钡基储能介质材料介电性能的研究》文中研究指明随着电子信息技术的不断发展,在脉冲功率设备、高功率微波系统等领域急切需要电学性能拥有良好温度稳定的电介质材料。钙钛矿型陶瓷储能介质材料由于其较快的充放电速率和较好的工作稳定性等优异特性成为了脉冲储能器件的理想材料。本文利用固相烧结法制备出了两个陶瓷材料体系:（1-x）BST-xBZN、（1-x）BSTZ-xBMT无铅钛酸锶钡基介质陶瓷,围绕电容-温度稳定性和降低陶瓷的烧结温度两个方面为出发点,以期获得在较低烧结温度下、具有良好电容-温度稳定性的介质陶瓷材料。采用传统的烧结法制备出了（1-x）BST-xBZN（0.00≤x≤0.225）介质陶瓷。系统的分析了（1-x）BST-xBZN介质陶瓷体系的结构组成,介电的温度稳定性能以及储能特性。实验结果得出,当x=0.225 mol时,其陶瓷的烧结温度为1140℃。在-55℃～150℃的温度范围内,其电容-温度变化率满足X8R电容器规格。在外加电场强度为170 k V/cm时,0.775BST-0.225BZN介质陶瓷的储能密度和储能效率分别为0.620 J/cm3,92.9%。其样品的充放电测试结果表明,放电功率密度为30 MW/cm3,放电时间小于100 ns。在25℃～150℃的测试温度范围内,其储能密度的变化率小于7%,其放电电流峰值、电流密度、功率密度的变化率均小于3%。得到了具备良好电学性能温度稳定性的储能介质材料。采用传统的固相烧结法制备出了（1-x）BSTZ-xBMT（0.00≤x≤0.20）介质陶瓷。分析了（1-x）BSTZ-xBMT介质陶瓷物相组成、结构以及电学性能之间的关系。实验表明,当x=0.20 mol时,0.80BSTZ-0.20BMT介质陶瓷的电容-温度稳定性满足X8R电容器规格。在外加电场为200 k V/cm时,其储能密度和储能效率分别为0.94 J/cm3,92.6%。在温度范围为25℃～150℃内,其储能密度的变化率不超过9%,表现出良好的电容以及储能的温度稳定性。对0.80BSTZ-0.20BMT介质陶瓷中掺入BCB玻璃降烧,在1120℃烧结下,掺入1wt%的BCB玻璃不仅不会改变陶瓷的物相组成,同时也可细化陶瓷的晶粒。满足X8R电容器规格的0.80BSTZ-0.20BMT+1wt%BCB陶瓷的介电性能参数为:ε=560.113,tanδ=0.06%,△C/C=13.6%。
孙静[8]（2021）在《纳米氧化物的反常铁电性与局域结构》文中指出铁电材料丰富的电学性能使其在非易失性存储、电容及传感器等领域拥有广阔的应用前景。近些年来,纳米铁电作为电子器件集成化和微型化的技术基础,成为理论和实验研究的热门领域。然而,随着铁电体物理尺寸的减小,铁电性通常会发生衰减,甚至达到临界尺寸时,铁电性消失。因而在纳米铁电体中保持良好的铁电性能是一个巨大的挑战。同时,铁电有序的建立本质上依赖于材料的晶体结构,因而对于晶体结构的理解是研究铁电理论和解释物理性能的重要依据。由于纳米铁电材料特殊的存在形式,尺寸、界面效应及应力等显着影响其性能。所以,研究纳米材料的局域结构与铁电性能之间的耦合关系具有重要意义。本论文较为系统地研究了几种典型的纳米铁电氧化物材料的局域结构和铁电性能;通过控制尺寸、表面状态等方式对铁电自发极化进行调控;同时揭示了纳米铁电氧化物的原子排布、局域结构和铁电性能的耦合关联,探索其中的物理机制。具体内容如下:首先通过调控样品尺寸及表面暴露状态,实现了对零维钛酸铅纳米材料的铁电性能调控。通过同步辐射X射线衍射实验,发现随着尺寸减小,晶体的四方性反常增大。结合同步辐射X射线全散射技术、拉曼光谱等,揭示其局域结构以及自发极化的增强。进一步通过X射线吸收谱等,揭示了钛酸铅纳米颗粒表面的原子端面暴露状态。第一性原理计算从电子结构层面证明了这种特殊的表面状态与增强的极化之间的关系。采用反向蒙特卡洛方法（RMC）对零维钛酸铅纳米颗粒的铁电自发极化分布进行了三维解析。中子全散射实验和电子显微分析发现尽管纳米钛酸铅中主体上极化沿c轴具有线性特征,但表面和内部极化分布呈现较大差异性,进一步的分析发现这种差异性与极化的一致性相互关联。最后以原子坐标参数作为衔接局域结构与长程平均结构的桥梁阐明了整个纳米颗粒中两者的关系。通过调节尺寸、设计相结构的方法,在二氧化锆纳米材料上诱导出铁电性。X射线衍射实验表明二氧化锆纳米材料的平均晶体结构为立方相。结合X射线、中子全散射实验,揭示了材料的正交相局域结构畸变。进一步通过反向蒙特卡洛拟合结果的键角、配位数等分析,发现具有极性的正交相局域结构的主导性分布,这正是纳米二氧化锆诱导铁电性的结构起源。本论文提供了一种基于局域结构认识并调控非传统纳米铁电氧化物的有效途径,通过界面、应力与材料局域结构、相结构的精确表征,获得铁电相关物性优化的构效关系基础,对于新型功能材料的研发设计具有启示性。
苟晓莉[9]（2021）在《Bi4Ti3O12母相铁电薄膜的能源效应与调控机理》文中研究表明铁电薄膜超高的功率密度,长久的使用寿命以及高稳定性等优点,使得其在功率、运算电压、快速充放电能力等方面都极具优势,进而在电力电子、武器、电动汽车等领域扮演着重要的角色。因此铁电薄膜的能源效应（储能、铁电光伏）受到广泛关注。而且相较于陶瓷电容器而言,薄膜电容器更符合当今社会生活电子器件小型化、集成化的发展需要,作为一些储能设备的重要组成部分,具有很大应用前景。然而,它们较低的储能密度极大地限制了其应用价值。此外,其非中心对称系统的体光伏效应由于观测到的大开路电压引起了研究者极大兴趣。为了解决这一问题,本文使用溶胶凝胶法制备了Bi4Ti3O12（BT）基铁电薄膜,通过插层以及掺杂调控其结构,获得小尺寸易翻转的极性纳米微区以及较小的带隙,从而获得优异的储能性能与铁电光伏效应。本文主要包含以下几个研究内容:1、在K0.5Na0.5NbO3Bi4-xPrxTi3O12(KNNB4-xPxT)体系中,通过掺杂稀土元素Pr3+,从而实现薄膜储能性能的提高。BT为Aurivillius相结构家族中代表性材料,其晶体结构中存在（Bi2O2）2+层这一绝缘层,所以它具有空间电荷库的作用,从而阻碍氧空位在畴壁处的聚集,减少了畴壁的钉扎效应,使得薄膜拥有更高的击穿场强。之所以选择在BT中插入压电材料K0.5Na0.5NbO3（KNN）,是因为它的加入可以打破BT的铁电长程有序。而且,随着Pr3+的引入,A位离子无序度增加,由铁电体转变为弛豫铁电体,储能效率（η）得到极大的改善。这种稀土掺杂为调控多层钙钛矿弛豫铁电薄膜的储能性能提供了新的思路。2、在BaCaBi4Ti5O18薄膜中,引入BaTiO3（BTO）和CaTiO3（CT）进一步改善Bi4Ti3O12的储能性能,这使其在低电场下拥有较高的储能密度。由于CT属于顺电体,它的加入不仅提高了薄膜的本征击穿强度而且大幅改善薄膜的储能效率,我们在BaCaBi4Ti5O18（BCBT）薄膜中获得了大的储能密度47.6 J/cm3以及高的储能效率70.4%。值得注意的是,薄膜在（-15°C-150°C）这一相对较宽的温度区间里展现了优异的温度稳定性。这种在铁电体中引入顺电体的策略,为之后脉冲功率电容器的设计提供了一个简洁的方法。3、自研究者们发现BiFeO3薄膜中表现出高于带隙的光电电压,铁电体光伏特性的研究就受到了越来越多的关注。选用稀土元素Er、Ce以及Y对Bi5FeTi3O15（BTFO）薄膜进行单掺杂以及共掺杂来改善它的电学性质以及光伏性能。值得注意的是,在提高光伏效应方面,非补偿掺杂(Ce4+)比补偿掺杂(Er3+和Y3+)表现出更大的优势,这体现在带隙的减小以及铁电极化的增强两个方面。这是因为掺杂的稀土离子不仅增加了散射截面,而且在Ce4+掺杂和全掺杂的BTFO薄膜中,绝大多数携带电子,在可见区域附近的光子被从基态激发到导带,从而提高光伏效应。
张丽丽[10]（2020）在《弛豫铁电性理论探索》文中研究指明弛豫铁电体（RFE）不仅具有新奇的物理性质,而且拥有极为广泛、重要的应用,因此弛豫铁电性机制的探索既加深对自然的认知,又对其现实的应用具有指导意义。基于已有的弛豫铁电性静力学理论模型缺乏对相应实验结果的定量描述能力,以及现有的动力学理论模型仍然是唯象、初步等问题,能够定量描述弛豫铁电性静力学、动力学的微观理论模型探索,无疑是RFE研究领域中最有价值的工作之一。本文依据RFE都是具有周期的晶体点阵结构,但是其中至少两种元素组分在点阵上的分布是无序或不均匀的,即结构有序-组分无序的体系,并且传统铁电性与弛豫铁电性相互转化的事实,尝试建立了弛豫铁电性的静力学、动力学的新理论,即具有Glauber动力学、赝自旋（PS）的随机格点（random-site）-随机内场（random-field）-Ising模型（RS-RF-IGM）。为了求解RS-RF-IGM,本文提出了一种新的、包含PS数目和场强分布的、PS串（PS-string,PSS）的局域平均场（local-mean-filed,LMF）方法（PSS-LMF）。依据PSS-LMF与求解Ising模型可信的Kramers-Wannier平均场的关系,以及RS-RF-IGM中PS在空间分布的拓扑结构特征,得出PSS-LMF是求解该模型的一个可信的方法。基于PSS-LMF方法,计算了对应三维（3-dimensional,3D）RFE的3D-RS-RF-IGM的序参量（自发极化）、局域序参量、比热、静态极化率、相图,特别是局域序参量由高温独立的极化纳米区（polar-nano-region,PNR）向低温分形（fractal）结构的渡越（crossover）。另外,针对现有Burns转变的唯像理论存在的问题,本文基于RS-RF-IGM中PS与晶格的耦合,提出了一种新的Burns转变的微观理论,并消除了已有Burns转变理论的问题。同样基于PSS-LMF方法,首先计算出RS-RF-IGM中局域序参量的热涨落随时间演化的方程,然后计算了该模型中与序参量热涨落相关的复极化率,特别是给出了一直代表着弛豫铁电物理学最为神秘特征的Vogel-Fulcher经验规律,它起源于受有效界面效应影响的高于物理一维的子体系中PS的关联弛豫。理论与实验结果的比较表明:（1）本文理论所预测的序参量、比热、高频-高温复极化率、Burns转变,与规范RFE——Pb Mg1/3Nb2/3O3（PMN）的实验结果定量上是一致的;（2）本文理论所预测的局域序参量,与PMN、PMN 1-x-（Pb Ti O3）x、SrxBa1-xNb2O6的实验结果定性上是一致的;（3）本文理论所预测的3D-RS-RF-IGM的相图（即随PS浓度的改变,传统铁电体?RFE?顺电体的相互演变）,与随x变化Ba Ti1-xZrxO3的相图定性上也是一致的;（4）依据本文理论模型的序参量、复极化率结果,得出RFE的中间转变微观上起源于局域序参量由高温独立的极化纳米区向低温分形结构的渡越,并且转变的特征温度为弛豫铁电相变的弥散温度。针对目前还没有规范RFE的明确定义,并依据本文的理论,尝试给出了规范RFE的定义。基于此定义,PMN非常接近规范RFE。另外,针对文献中RFE是否能够归入铁电体的争论,基于已有实验结果和本文的理论进行了分析、讨论。为了进一步验证本文所提出的PSS-LMF方法的可行性,对该方法所得结果与Monte Carlo模拟进行了比较、讨论。整体上,已有的二维随机格点Ising模型的Monte Carlo模拟与本文的PSS-LMF的结果是相互印证的。本文以描述传统铁电性最为成功的静力学的Ising模型、动力学的Mason理论为参照,在数学体系、实验验证、微观层次等三个方面,对本文的RS-RF-IGM与其它典型弛豫铁电性的理论模型,进行了比较。与现有代表性的弛豫铁电性理论模型相比:（1）在数学体系的完整性方面,本文理论模型包含动力学哈密顿量,以及给出了较多的、定量的、实验可验证的、理论预测参量;（2）在实验验证方面,本文理论模型不仅给出了较多的理论预测参量,而且与实验结果定量或定性一致;（3）在微观层次方面,现有代表性的弛豫铁电性的理论模型仅处于介观或唯象层次,而本文的描述弛豫铁电性静力学模型的微观层次与Ising模型一样,并且RS-RF-IGM比描述传统铁电性动力学的Mason理论更为微观。
二、弛豫铁电体有序—无序转变理论及进展（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、弛豫铁电体有序—无序转变理论及进展（论文提纲范文）
（1）钛酸铋钠基无铅压电陶瓷局域应力场的构建及压电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 前言 |
| 1.1 压电陶瓷 |
| 1.1.1 压电性能概述 |
| 1.1.2 压电陶瓷的发展历程 |
| 1.2 无铅压电陶瓷的分类 |
| 1.2.1 钛酸钡基无铅压电陶瓷 |
| 1.2.2 铌酸钾钠基无铅压电陶瓷 |
| 1.2.3 铁酸铋基无铅压电陶瓷 |
| 1.2.4 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 |
| 1.3 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的结构与性能 |
| 1.3.1 钛酸铋钠的结构分析 |
| 1.3.2 钛酸铋钠的相变分析 |
| 1.3.3 钛酸铋钠的电致应变分析 |
| 1.4 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的退极化行为 |
| 1.4.1 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷退极化机制 |
| 1.4.2 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷退极化研究进展 |
| 1.5 本文的主要研究思路 |
| 2 实验材料和方法 |
| 2.1 研究方案 |
| 2.2 实验所用原料及实验设备 |
| 2.3 陶瓷制备步骤及烧结工艺 |
| 2.4 组织结构表征与性能测试方法 |
| 2.4.1 组织结构表征 |
| 2.4.2 性能测试 |
| 3 热处理工艺对BNT基陶瓷压电性能的改性机理研究 |
| 3.1 热处理工艺对BNT-6BT陶瓷压电性能提升机制的研究 |
| 3.1.1 引言 |
| 3.1.2 样品的制备与测试 |
| 3.1.3 淬火后BNT-6BT陶瓷的介电温谱 |
| 3.1.4 陶瓷中氧空位缺陷分析 |
| 3.1.5 热处理工艺对BNT-6BT陶瓷微观结构影响 |
| 3.1.6 小结 |
| 3.2 热处理工艺对BNT-6BT-3AN陶瓷压电性能的研究 |
| 3.2.1 引言 |
| 3.2.2 样品制备与测试 |
| 3.2.3 热处理工艺对BNT-6BT-3AN陶瓷压电性能的影响 |
| 3.2.4 热处理工艺对BNT-6BT-3AN陶瓷相结构的影响 |
| 3.2.5 小结 |
| 4 BNT:ZnO复合陶瓷压电性能及改性机制研究 |
| 4.1 复合不同粒径及形貌ZnO对BNT-6BT陶瓷退极化行为研究 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 样品制备与测试 |
| 4.1.3 复合不同粒径及形貌ZnO对BNT-6BT陶瓷微观结构影响 |
| 4.1.4 复合不同粒径及形貌ZnO对BNT-6BT陶瓷压电、铁电性能影响 |
| 4.1.5 小结 |
| 4.2 BNT-6BT-3AN:ZnO(nm)复合陶瓷的电致应变性能研究 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 样品制备与测试 |
| 4.2.3 BNT-6BT-3AN:ZnO复合陶瓷微观结构分析 |
| 4.2.4 BNT-6BT-3AN:ZnO复合陶瓷压电、铁电性能分析 |
| 4.2.5 BNT-6BT-3AN:ZnO复合陶瓷的电致应变性能 |
| 4.2.6 BNT-6BT-3AN:ZnO复合陶瓷应变耦合机制分析 |
| 4.2.7 小结 |
| 5 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间主要研究成果 |
| 攻读学位期间获得的奖励 |
（2）(1-x)（Ba,Li）TiO3-xBiMeO3陶瓷的制备及其储能特性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 电介质储能陶瓷研究背景和意义 |
| 1.2 电介质陶瓷材料的储能特性 |
| 1.3 储能陶瓷材料研究现状 |
| 1.3.1 线性电介质陶瓷材料研究进展 |
| 1.3.2 铁电体陶瓷材料研究进展 |
| 1.3.3 反铁电体陶瓷材料研究进展 |
| 1.3.4 弛豫铁电体陶瓷材料研究进展 |
| 1.4 本课题研究的目的和内容 |
| 1.4.1 研究目的与意义 |
| 1.4.2 本文主要研究内容 |
| 2 陶瓷材料的制备、测试与表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 工艺流程 |
| 2.3 实验仪器 |
| 2.4 实验主要药品 |
| 2.5 陶瓷样品的测试与表征 |
| 2.5.1 物相结构表征 |
| 2.5.2 微观形貌表征 |
| 2.5.3 陶瓷样品的电学性能测试 |
| 3 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-x Bi(Mg_(1/2)Sn_(1/2))O_3陶瓷的制备与储能特性的研究 |
| 3.1 制备 |
| 3.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBi(Mg_(1/2)Sn_(1/2))O_3陶瓷的结构分析 |
| 3.2.1 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBi(Mg_(1/2)Sn_(1/2))O_3物相结构分析 |
| 3.2.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBi(Mg_(1/2)Sn_(1/2))O_3微观形貌分析 |
| 3.3 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBi(Mg_(1/2)Sn_(1/2))O_3陶瓷的介电性能分析 |
| 3.3.1 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBi(Mg_(1/2)Sn_(1/2))O_3介电温谱分析 |
| 3.3.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBi(Mg_(1/2)Sn_(1/2))O_3弛豫特性分析 |
| 3.4 Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-Bi(Mg_(1/2)Sn_(1/2))O_3陶瓷的储能特性分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiYO_3陶瓷的制备与储能特性的研究 |
| 4.1 制备 |
| 4.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-x BiYO_3陶瓷的结构分析 |
| 4.2.1 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-x BiYO_3物相结构分析 |
| 4.2.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-x BiYO_3微观形貌分析 |
| 4.3 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiYO_3陶瓷的介电性能分析 |
| 4.3.1 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-x BiYO_3介电温谱分析 |
| 4.3.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-x BiYO_3弛豫特性分析 |
| 4.4 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiYO_3 陶瓷的储能特性分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiAlO_3 陶瓷的制备和储能特性的研究 |
| 5.1 制备 |
| 5.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiAlO_3 陶瓷的结构分析 |
| 5.2.1 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiAlO_3 物相结构分析 |
| 5.2.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiAlO_3 微观形貌分析 |
| 5.3 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiAlO_3 陶瓷的介电性能分析 |
| 5.3.1 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiAlO_3 介电温谱分析 |
| 5.3.2 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiAlO_3 弛豫特性分析 |
| 5.4 (1-x)Ba_(0.98)Li_(0.02)TiO_3-xBiAlO_3 陶瓷的储能特性分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 (1-x)Ba_(0.96)Li_(0.04)TiO_3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O_3 陶瓷的制备与储能特性的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 (1-x)Ba_(0.96)Li_(0.04)TiO_3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O_3 陶瓷的结构分析 |
| 6.2.1 (1-x)Ba_(0.96)Li_(0.04)TiO_3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O_3 物相结构分析 |
| 6.2.2 (1-x)Ba_(0.96)Li_(0.04)TiO_3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O_3 微观形貌分析 |
| 6.3 (1-x)Ba_(0.96)Li_(0.04)TiO_3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O_3 陶瓷的介电性能分析 |
| 6.3.1 (1-x)Ba_(0.96)Li_(0.04)TiO_3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O_3 介电温谱分析 |
| 6.3.2 (1-x)Ba_(0.96)Li_(0.04)TiO_3-xBiBi(Mg2/3Nb1/3)O_3 弛豫特性分析 |
| 6.4 (1-x)Ba_(0.96)Li_(0.04)TiO_3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O_3 陶瓷的储能特性分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间研究成果 |
| 致谢 |
（3）铅基铁电薄膜的电卡及储能效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 铁电材料的分类 |
| 1.2.1 铁电材料 |
| 1.2.2 反铁电材料 |
| 1.2.3 弛豫铁电材料 |
| 1.2.4 钙钛矿、钨青铜结构 |
| 1.2.5 位移型、有序-无序型 |
| 1.3 铁电材料的制备方法 |
| 1.3.1 陶瓷材料的制备方法 |
| 1.3.2 薄膜材料的制备方法 |
| 1.3.3 厚膜材料的制备方法 |
| 1.4 铁电材料的应用 |
| 1.4.1 能量储存 |
| 1.4.2 电卡制冷 |
| 1.4.3 介电调谐 |
| 1.4.4 其他应用 |
| 1.5 本论文的研究意义及内容 |
| 第二章 实验的制备与表征技术 |
| 2.1 实验原材料 |
| 2.1.1 铁酸铋和镧共掺杂的锆钛酸铅薄膜的实验原料 |
| 2.1.2 铌掺杂的锆锡钛酸铅薄膜实验原料 |
| 2.2 实验所需仪器设备 |
| 2.3 实验材料的制备 |
| 2.3.1 薄膜的制备 |
| 2.3.2 电极的制备 |
| 2.4 材料的表征技术 |
| 2.4.1 形貌与结构 |
| 2.4.2 介电性能 |
| 2.4.3 铁电性能 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 铁酸铋和镧共掺杂的锆钛酸铅外延薄膜的电学性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验结果与讨论 |
| 3.2.1 形貌结构表征 |
| 3.2.2 介电性能研究 |
| 3.2.3 电卡性能分析 |
| 3.2.4 储能性能分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 铌掺杂的锆锡钛酸铅反铁电薄膜的电学性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验结果与讨论 |
| 4.2.1 形貌结构表征 |
| 4.2.2 介电性能研究 |
| 4.2.3 电卡性能分析 |
| 4.2.4 储能性能分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 论文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 5.3 本论文的创新点 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
（4）钛酸铋钠基铁电陶瓷的介电储能特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 储能材料概述 |
| 1.2 电介质陶瓷储能材料的性能表征 |
| 1.2.1 介电常数 |
| 1.2.2 介电损耗 |
| 1.2.3 击穿场强 |
| 1.2.4 储能密度和储能效率 |
| 1.3 电介质陶瓷储能材料的研究现状 |
| 1.3.1 线性电介质陶瓷储能研究 |
| 1.3.2 反铁电体陶瓷储能研究 |
| 1.3.3 弛豫铁电体陶瓷储能研究 |
| 1.4 Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基陶瓷储能研究现状 |
| 1.5 研究思路和论文内容 |
| 第二章 陶瓷材料的制备方法和性能测试表征 |
| 2.1 陶瓷材料的制备 |
| 2.2 陶瓷材料的性能测试表征 |
| 2.2.1 物相分析 |
| 2.2.2 微观形貌表征 |
| 2.2.3 材料介电性能测试 |
| 2.2.4 材料铁电性能测试 |
| 2.2.5 材料充放电性能测试 |
| 第三章 (1-x)(0.80Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.20Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3)-xBi(Mg_(2/3)Nb_(1/3))O_3陶瓷储能材料的制备和储能特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 陶瓷材料的制备流程 |
| 3.3 陶瓷材料的结构分析 |
| 3.3.1 物相结构分析 |
| 3.3.2 微观结构分析 |
| 3.4 陶瓷材料的介电性 |
| 3.5 陶瓷材料的铁电性 |
| 3.6 陶瓷材料的储能特性 |
| 3.7 陶瓷材料的储能温度、频率稳定性 |
| 3.8 陶瓷材料的充放电 |
| 3.9 小结 |
| 第四章 (1-x)(0.80Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.20Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3)-xA'(Al_(0.5)Ta_(0.5))O_3 (A'=Ca~(2+),Sr~(2+),Ba~(2+))陶瓷储能材料的储能特性研究 |
| 4.1 (1-x)(0.80Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.20Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3)-xCa(Al_(0.5)Ta_(0.5))O_3陶瓷的介电储能特性研究 |
| 4.1.1 陶瓷材料的制备 |
| 4.1.2 物相结构分析 |
| 4.1.3 陶瓷材料的微观形貌 |
| 4.1.4 陶瓷材料的介电 |
| 4.1.5 陶瓷材料的铁电性和储能特性 |
| 4.1.6 陶瓷材料的储能频率、温度稳定性 |
| 4.2 (1-x)(0.80Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.20Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3)-xSr(Al_(0.5)Ta_(0.5))O_3陶瓷的介电储能特性研究 |
| 4.2.1 物相结构分析 |
| 4.2.2 陶瓷材料的介电性 |
| 4.2.3 陶瓷材料的铁电性和储能特性 |
| 4.2.4 陶瓷材料的频率、温度稳定性 |
| 4.3 (1-x)(0.80Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.20Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3)-xBa(Al_(0.5)Ta_(0.5))O_3陶瓷的介电储能特性研究 |
| 4.3.1 物相结构分析 |
| 4.3.2 微观形貌测试 |
| 4.3.3 陶瓷材料的介电性 |
| 4.3.4 陶瓷材料的铁电性和储能特性 |
| 4.3.5 陶瓷材料的频率、温度稳定性 |
| 4.4 陶瓷材料充放电 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（5）硝酸盐配合物的结构相变与性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁电体材料 |
| 1.1.1 铁电体发展阶段 |
| 1.1.2 铁电体特点 |
| 1.1.3 铁电体分类 |
| 1.1.4 铁电体的电滞回线 |
| 1.1.5 铁电体的典型应用 |
| 1.2 结构相变 |
| 1.2.1 结构相变理论与发展 |
| 1.2.2 结构相变特点 |
| 1.2.3 结构相变分类 |
| 1.2.4 铁电相变分类 |
| 1.3 配合物简介 |
| 1.3.1 配合物主要性质和分类 |
| 1.3.2 硝酸盐配合物研究进展 |
| 1.4 选题意义和研究内容 |
| 第二章 铁电空位伪配位聚合物 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验仪器与化学药品 |
| 2.2.2 化合物的合成过程 |
| 2.2.3 化合物的晶体结构测定 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 化合物的晶体结构分析 |
| 2.3.2 化合物的PXRD分析 |
| 2.3.3 化合物的DSC分析 |
| 2.3.4 化合物的SHG效应 |
| 2.3.5 化合物的热电性 |
| 2.3.6 化合物的介电分析 |
| 2.3.7 化合物的铁电性分析 |
| 2.3.8 化合物的铁电结构与机理 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 AM(NO_3)_3:基于硝酸根离子的新型钙钛矿铁电分子家族 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验仪器与化学药品 |
| 3.2.2 化合物合成过程 |
| 3.2.3 化合物晶体结构测定 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 化合物晶体结构分析 |
| 3.3.2 化合物PXRD分析 |
| 3.3.3 化合物的介电分析 |
| 3.3.4 化合物的DSC分析 |
| 3.3.5 化合物的SHG效应 |
| 3.3.6 化合物的PFM分析 |
| 3.3.7 化合物的铁电性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章:具有电和光响应性能层状杂化稀土双钙钛矿分子基化合物 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验仪器与化学药品 |
| 4.2.2 化合物的合成过程 |
| 4.2.3 化合物的晶体结构测定 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 化合物的晶体结构分析 |
| 4.3.2 化合物的DSC分析 |
| 4.3.3 化合物的介电分析 |
| 4.3.4 化合物的光致发光特性 |
| 4.3.5 化合物的PXRD分析 |
| 4.3.6 化合物的TGA分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（6）(Nb5+-Cr3+)离子对掺杂BNT-7BT陶瓷的观结构和电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 引言 |
| §1.2 钙钛矿压电陶瓷的特点 |
| §1.3 BNT-BT陶瓷的研究意义及进展 |
| §1.3.1 BNT-BT陶瓷结构和相变的研究 |
| §1.3.2 BNT-BT陶瓷介电性能的研究 |
| §1.3.3 BNT-BT陶瓷铁电性能的研究 |
| §1.3.4 BNT-BT陶瓷压电性能的研究 |
| §1.4 本文的主要研究思路和内容 |
| 第二章 BNBT-xNC陶瓷的制备及表征 |
| §2.1 引言 |
| §2.2 样品的制备及测试 |
| §2.2.1 原料及主要仪器 |
| §2.2.2 实验工艺流程 |
| §2.3 性能测试及设备 |
| §2.3.1 微观结构测试分析 |
| §2.3.2 压电性能测试分析 |
| §2.3.3 介电性能测试分析 |
| §2.3.4 铁电压电综合性能测试 |
| 第三章 BNBT-xNC陶瓷的晶体结构、表面形貌及弱场压电性能的研究 |
| §3.1 引言 |
| §3.2 BNBT-xNC陶瓷XRD衍射图谱 |
| §3.3 BNBT-xNC陶瓷的拉曼散射光谱 |
| §3.4 BNBT-xNC陶瓷的表面形貌 |
| §3.5 BNBT-xNC陶瓷的弱场压电性能 |
| §3.6 本章小结 |
| 第四章 BNBT-xNC陶瓷介电性能的研究 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 BNBT-xNC陶瓷介电弛豫特性的研究 |
| §4.3 本章小结 |
| 第五章 BNBT-xNC陶瓷不同温度和电场下电性能的研究 |
| §5.1 引言 |
| §5.2 BNBT-xNC陶瓷初始态下电性能的研究 |
| §5.2.1 BNBT-xNC陶瓷初始态下铁电性能的研究 |
| §5.2.2 BNBT-xNC陶瓷初始态下应变性能的研究 |
| §5.3 BNBT-xNC陶瓷不同极化电场下电性能的研究 |
| §5.3.1 BNBT-xNC陶瓷不同极化电场下铁电性能的研究 |
| §5.3.2 BNBT-xNC陶瓷不同电场下应变性能的研究 |
| §5.3.3 BNBT-xNC陶瓷不同成分铁电及应变的研究 |
| §5.4 BNBT-xNC陶瓷不同温度下电性能的研究 |
| §5.4.1 BNBT-xNC陶瓷不同温度下铁电性能的研究 |
| §5.4.2 BNBT-xNC陶瓷不同温度下应变性能的研究 |
| §5.5 BNBT-xNC陶瓷单极模式下电性能的研究 |
| §5.5.1 BNBT-xNC陶瓷单极场致应变的研究 |
| §5.5.2 BNBT-xNC陶瓷不同温度下应变性能的研究 |
| §5.6 BNBT-xNC陶瓷不同温度单极双极场致应变的研究 |
| §5.7 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 作者攻读硕士期间的主要研究成果 |
| 致谢 |
（7）宽温稳定型钛酸锶钡基储能介质材料介电性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 储能介质陶瓷材料概述 |
| 1.2 储能介质陶瓷材料体系的分类 |
| 1.2.1 线性电介质材料 |
| 1.2.2 铁电体介质材料 |
| 1.2.3 弛豫铁电体电介质材料 |
| 1.2.4 反铁电介质材料 |
| 1.3 Ba_(1-x)Sr_xTiO_3基储能陶瓷材料研究进展 |
| 1.4 课题的提出与研究内容 |
| 1.4.1 课题的提出 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 2 实验方法及原理 |
| 2.1 BST基介质陶瓷的制备工艺 |
| 2.2 BST基介质陶瓷材料的表征 |
| 2.2.1 BST基介质陶瓷材料结构表征 |
| 2.2.2 BST基介质陶瓷材料的介电性能表征 |
| 2.2.3 BST基介质陶瓷材料的储能性能表征 |
| 3 (1-x)BST-xBZN宽温稳定型介质陶瓷介电性能的研究 |
| 3.1 本章引言 |
| 3.2 (1-x)BST-xBZN介质陶瓷的制备工艺 |
| 3.3 (1-x)BST-xBZN介质陶瓷的结构与性能 |
| 3.3.1 (1-x)BST-xBZN介质陶瓷的结构表征 |
| 3.3.2 (1-x)BST-xBZN介质陶瓷的介电性能及其温度稳定性 |
| 3.3.3 (1-x)BST-xBZN介质陶瓷的储能性能表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 (1-x)BSTZ-xBMT高储能密度宽温稳定型陶瓷介电性能研究 |
| 4.1 本章引言 |
| 4.2 (1-x)BSTZ-xBMT介质陶瓷的制备工艺 |
| 4.3 (1-x)BSTZ-xBMT介质陶瓷的结构与性能 |
| 4.3.1 (1-x)BSTZ-xBMT介质陶瓷的结构及微观形貌 |
| 4.3.2 (1-x)BSTZ-xBMT介质陶瓷的击穿特性 |
| 4.3.3 (1-x)BSTZ-xBMT介质陶瓷的介电性能及其温度稳定性 |
| 4.3.4 (1-x)BSTZ-xBMT介质陶的储能性能表征 |
| 4.4 Ba-Cu-B玻璃掺杂对0.80BSTZ-0.20BMT陶瓷结构及其介电性能的影响 |
| 4.4.1 Ba-Cu-B玻璃对0.80BSTZ-0.20BMT介质陶瓷结构的影响 |
| 4.4.2 Ba-Cu-B玻璃对0.80BSTZ-0.20BMT介质陶瓷介电性能及其温度稳定性的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
（8）纳米氧化物的反常铁电性与局域结构（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 纳米材料与局域结构 |
| 2.1.1 纳米材料概述 |
| 2.1.2 材料的局域结构 |
| 2.1.3 纳米材料的局域结构 |
| 2.2 材料的铁电性 |
| 2.2.1 铁电性概述 |
| 2.2.2 铁电材料的基本特性 |
| 2.2.3 纳米铁电材料的研究现状 |
| 2.2.4 局域结构调控纳米铁电材料的性能 |
| 2.3 局域结构的主要研究手段 |
| 2.3.1 基于全散射的原子对分布函数 |
| 2.3.2 X射线吸收谱 |
| 2.3.3 扫描透射电子显微镜 |
| 2.4 本课题研究内容 |
| 3 样品的合成与表征 |
| 3.1 样品制备 |
| 3.2 实验表征手段 |
| 4 纳米钛酸铅反常增强的铁电性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品的合成与表征 |
| 4.2.1 样品的合成与处理 |
| 4.2.2 样品的表征与计算 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 纳米钛酸铅增强的四方性 |
| 4.3.2 纳米钛酸铅增强的自发极化 |
| 4.3.3 PbO终端在纳米钛酸铅表面的分布 |
| 4.3.4 表面状态与极化的耦合机理 |
| 4.4 小结 |
| 5 纳米钛酸铅极化分布的三维分析 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品的合成与表征 |
| 5.2.1 样品的合成与处理 |
| 5.2.2 样品的表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 纳米钛酸铅的局域结构畸变 |
| 5.3.2 基于RMC的三维极化分布分析 |
| 5.3.3 基于透射电镜手段的二维极化分布分析 |
| 5.3.4 铁电有序的相关性分析 |
| 5.3.5 局域/平均结构的关联与耦合分析 |
| 5.4 小结 |
| 6 纳米二氧化锆的铁电性 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品的合成与表征方法 |
| 6.2.1 样品的合成与处理 |
| 6.2.2 样品的表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 纳米二氧化锆的形貌和平均结构 |
| 6.3.2 纳米二氧化锆的铁电性 |
| 6.3.3 纳米二氧化锆的局域结构畸变 |
| 6.4 小结 |
| 7 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 展望 |
| 参考文献 |
| 附录A RMC数据分析脚本 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（9）Bi4Ti3O12母相铁电薄膜的能源效应与调控机理（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁电材料 |
| 1.2 铁电薄膜的储能特性 |
| 1.2.1 介电储能的研究意义 |
| 1.2.2 铁电薄膜的储能原理 |
| 1.2.3 铁电薄膜储能材料的分类与研究现状 |
| 1.3 铁电薄膜的光伏特性 |
| 1.3.1 铁电光伏效应 |
| 1.3.2 铁电光伏的研究现状与增强途径 |
| 1.4 本文的研究内容及拟解决的问题 |
| 1.4.1 本文的研究内容 |
| 1.4.2 本文的拟解决问题 |
| 第二章 实验方法与性能表征 |
| 2.1 溶胶凝胶法制备BT基薄膜 |
| 2.1.1 溶胶凝胶法 |
| 2.1.2 薄膜的制备 |
| 2.2 薄膜表征技术及相关设备原理 |
| 2.2.1 结构的表征 |
| 2.2.2 储能特性的表征 |
| 2.2.3 铁电光伏效应的表征 |
| 第三章 嵌入压电单元对铁电薄膜储能特性的调控 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 KNNB_(4-X)P_XT薄膜的物相表征 |
| 3.2.1 晶体结构分析 |
| 3.2.2 表面形貌分析 |
| 3.3 K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3Bi_(4-X)Pr_XTiO_(12)薄膜的弛豫特性 |
| 3.4 KNNB_(4-X)P_XT薄膜的储能特性 |
| 3.5 KNNB_(4-X)P_XT薄膜储能稳定性研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 晶粒尺寸对低电场下铁电薄膜储能性能的调控 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 BCBT薄膜的物相表征 |
| 4.2.1 晶体结构分析 |
| 4.2.2 表面形貌分析 |
| 4.3 BaCaBi_4Ti_5O_(18)薄膜的储能特性 |
| 4.3.1 介电性能分析 |
| 4.3.2 击穿场强及其漏电流性能分析 |
| 4.3.3 储能行为表征 |
| 4.4 BCBT薄膜储能稳定性研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 非补偿掺杂带隙工程调控铁电光伏效应 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 稀土元素掺杂的BTFO薄膜的物相表征 |
| 5.2.1 晶体结构分析 |
| 5.2.2 非补偿价态分析 |
| 5.3 稀土元素掺杂的BTFO薄膜的铁电光伏特性 |
| 5.3.1 薄膜的电学性质 |
| 5.3.2 光学带隙与光谱响应分析 |
| 5.3.3 光伏效应分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
（10）弛豫铁电性理论探索（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 弛豫铁电体应用简介 |
| 1.2 铁电体按照相变类型的分类 |
| 1.2.1 传统铁电体 |
| 1.2.2 弛豫铁电体 |
| 1.3 弛豫铁电体按照点阵结构的分类 |
| 1.3.1 钙钛矿结构 |
| 1.3.2 四方钨青铜结构 |
| 1.3.3 奥里维里斯结构 |
| 1.4 弛豫铁电性与RFE中离子分布 |
| 1.5 弛豫铁电性的静力学现象 |
| 1.5.1 自发极化 |
| 1.5.2 比热 |
| 1.5.3 静态极化率 |
| 1.5.4 电畴结构与局域序参量 |
| 1.5.5 Burns转变 |
| 1.5.6 中间转变 |
| 1.6 弛豫铁电性的动力学现象 |
| 1.6.1 规范RFE(PMN)的极化弛豫现象 |
| 1.6.2 传统铁电性向弛豫铁电性的演化现象 |
| 1.7 弛豫铁电性静力学理论模型简介 |
| 1.7.1 组分不均匀理论 |
| 1.7.2 随机相互作用-随机内场理论 |
| 1.7.3 球对称随机场-随机键模型 |
| 1.7.4 软模-随机电场理论 |
| 1.8 弛豫铁电性动力学理论模型简介 |
| 1.8.1 超顺电理论 |
| 1.8.2 极化玻璃模型 |
| 1.8.3 呼吸模型 |
| 1.9 本论文研究思路及内容 |
| 第一章参考文献 |
| 第二章 弛豫铁电性的新理论模型探索 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 钙钛矿铁电体类型的争论与讨论 |
| 2.2.1 有序-无序型理论 |
| 2.2.2 位移型理论 |
| 2.2.3 有序-无序型和位移型理论的实验检验及讨论 |
| 2.3 传统铁电性静力学的赝自旋Ising模型简介与讨论 |
| 2.4 传统铁电性动力学理论简介与讨论 |
| 2.4.1 传统铁电体中序参量涨落的Mason理论及讨论 |
| 2.4.2 传统铁电体中畴界弛豫理论简介及讨论 |
| 2.5 弛豫铁电性的新理论模型 |
| 2.5.1 锆钛酸钡铁电性静力学的模型哈密顿量 |
| 2.5.2 铌镁酸铅铁电性静力学的模型哈密顿量 |
| 2.5.3 弛豫铁电性动力学的模型哈密顿量 |
| 2.5.4 弛豫铁电性新理论模型创新性讨论 |
| 2.6 第二章小结 |
| 附录-A Glauber跃迁几率 |
| 第二章参考文献 |
| 第三章 弛豫铁电性新理论模型的新求解方法 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 随机格点-随机场-Ising模型求解现状简介与讨论 |
| 3.1.2 随机格点-随机场-Ising-Glauber模型求解现状简介与讨论 |
| 3.2 Ising模型静力学求解方法简介 |
| 3.2.1 Weiss平均场方法简介 |
| 3.2.2 Kramers-Wannier平均场方法简介 |
| 3.2.3 Onsagar方法的比热结果简介 |
| 3.2.4 杨振宁方法的序参量结果简介 |
| 3.2.5 Ising模型平均场近似与精确解的比较与讨论 |
| 3.3 新理论模型求解的新方法 |
| 3.3.1 新理论模型求解的赝自旋串平均场方法 |
| 3.3.2 赝自旋和赝自旋空位的空间分布 |
| 3.3.3 赝自旋串的长度分布 |
| 3.3.4 赝自旋串间相互作用的分布 |
| 3.3.5 赝自旋串平均场方法可信性分析 |
| 3.3.6 赝自旋串平均场方法创新性讨论 |
| 3.4 第三章小结 |
| 附录-B 赝自旋串之间相互作用的局域平均场 |
| B.1 随机强键到均匀弱键的局域平均场 |
| B.2 有效界面效应 |
| 第三章参考文献 |
| 第四章 弛豫铁电性新理论的静力学和动力学结果 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 弛豫铁电性新理论的静力学结果与讨论 |
| 4.2.1 序参量、静态极化率、比热、相图 |
| 4.2.2 局域序参量 |
| 4.2.3 Burns转变 |
| 4.3 弛豫铁电性新理论的动力学结果与讨论 |
| 4.3.1 局域序参量的涨落 |
| 4.3.2 序参量涨落的复极化率 |
| 4.4 赝自旋串局域平均场与Monte Carlo模拟结果的比较 |
| 4.5 弛豫铁电性新理论结果的创新性讨论 |
| 4.6 第四章小结 |
| 附录-C Z_n~g、Q_n~g的计算 |
| 附录-D s_(nk)~g的计算 |
| 附录-E χ_s~(ng)的计算 |
| 附录-F ζ_(nk)~g的计算 |
| 附录-G s_(nk)~g的弛豫方程 |
| 附录-H δ_(nk)~g的弛豫方程 |
| 附录-H1: δ_(11)~g的弛豫方程 |
| 附录-H2: δ_(2k)~g的弛豫方程 |
| 附录-H3: δ_(nk)~g (n≥3)的弛豫方程 |
| 附录-I 赝自旋串的复极化率 |
| 附录-J RFE的热应变 |
| 附录-K RFE的折射率 |
| 第四章参考文献 |
| 第五章 弛豫铁电性新理论与实验的比较及讨论 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 理论与实验的比较与讨论 |
| 5.2.1 序参量、局域序参量 |
| 5.2.2 比热 |
| 5.2.3 复极化率 |
| 5.2.4 Burns转变 |
| 5.2.5 中间转变 |
| 5.2.6 组分相图 |
| 5.3 规范RFE的定义及铁电体的讨论 |
| 5.3.1 规范RFE的定义 |
| 5.3.2 铁电体的讨论 |
| 5.4 本文理论与其它理论的比较与讨论 |
| 5.4.1 数学体系比较 |
| 5.4.2 实验验证比较 |
| 5.4.3 微观层次比较 |
| 5.5 第五章小结 |
| 第五章参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 第六章参考文献 |
| 攻读博士期间发表论文和科研情况 |
| 1. 发表论文 |
| 2. 主持或参与的科研项目 |
| 致谢 |
四、弛豫铁电体有序—无序转变理论及进展（论文参考文献）
- [1]钛酸铋钠基无铅压电陶瓷局域应力场的构建及压电性能研究[D]. 王家乐. 西安理工大学, 2021(01)
- [2](1-x)（Ba,Li）TiO3-xBiMeO3陶瓷的制备及其储能特性研究[D]. 仲晓羽. 常州大学, 2021(01)
- [3]铅基铁电薄膜的电卡及储能效应研究[D]. 张苗苗. 广西大学, 2021(12)
- [4]钛酸铋钠基铁电陶瓷的介电储能特性研究[D]. 吕俊虎. 山东大学, 2021(11)
- [5]硝酸盐配合物的结构相变与性质研究[D]. 花苗苗. 江西理工大学, 2021(01)
- [6](Nb5+-Cr3+)离子对掺杂BNT-7BT陶瓷的观结构和电性能研究[D]. 陈培. 桂林电子科技大学, 2021
- [7]宽温稳定型钛酸锶钡基储能介质材料介电性能的研究[D]. 何自凤. 西南科技大学, 2021(08)
- [8]纳米氧化物的反常铁电性与局域结构[D]. 孙静. 北京科技大学, 2021
- [9]Bi4Ti3O12母相铁电薄膜的能源效应与调控机理[D]. 苟晓莉. 内蒙古大学, 2021(12)
- [10]弛豫铁电性理论探索[D]. 张丽丽. 南京大学, 2020(09)