一、S波段单片集成5位数控移相器（论文文献综述）
武屹冰[1]（2021）在《X波段控制模块电路研究与设计》文中指出21世纪以来,适应民用无线通信系统和军用雷达的需求,高精度、多通道、大数据容量的宽带相控阵技术得到了蓬勃发展。而在相控阵系统中,发送/接收模块（T/R）需求量巨大,也是影响整个相控阵系统性能和成本最关键的模块。其中,移相器实现相位控制功能,衰减器实现幅度控制功能。这两种微波控制器件在整个相控阵系统中起着基础且至关重要的作用。因此,针对这两者的研究是近年来学界与产业界的热点。本文聚焦这一研究热点,首先对数控移相器与数控衰减器近年发展脉络与趋势进行了详尽的调研,分析了当前数控移相器与数控衰减器设计中的难点。针对系统使用的要求,提出了宽带低损耗的设计目标。并结合这一要求,基于0.5μm GaAs pHEMT工艺完成了X波段六位数控移相器与DC-13GHz六位数控衰减器的电路设计与仿真。针对X波段六位数控移相器的设计,本文从各个元件的基本原理出发,对不同尺寸的开关进行了细致的分析与寄生参数提取。在此基础上,对常见的移相器拓扑的优缺点进行了理论推导与分析,优选了每一位的拓扑结构与最佳级联顺序。最终5.625°和22.5°移相单元采用了嵌入LC型拓扑;11.25°和45°移相单元采用了桥T型拓扑;90°和180°采用了高低通网络拓扑。同时,为了简化芯片的控制逻辑,在片内集成了电平位移电路与反相器电路。最终仿真结果显示,该移相器在8-12GHz移相误差典型值为10°。RMS相位误差最大为6°。芯片实现了非常低的插入损耗。带内插损典型值为6dB,最大值为7.8dB,寄生调幅RMS小于0.9dB。移相器线性度良好,P1dB大于30.5dBm。输入输出驻波特性良好,全态S11和S22均小于-12dB。芯片面积为3.1mm×1.05mm×0.1mm,可以采用5mm×5mm的方形扁平无引脚（QFN）封装,为后续的封装测试提供了便利。对于DC-13GHz六位数控衰减器的芯片设计,同样通过类似方法,优选开关管尺寸,探究线性度与插入损耗之间的折中调谐。最终六位数控衰减器在DC-13GHz内,实现了非常低的插入损耗,最大插损仅为4.147dB。同时带内衰减平坦度良好,衰减误差小于（0.3+3%×ATT）dB,而RMS衰减幅度误差在0.15dB-0.45dB之间,典型值为0.25dB。芯片的线性度很高,P0.1dB大于25dBm。驻波特性良好,全态的S11和S22均小于-12dB。各项指标均满足设计要求。芯片面积为1.65mm×1.05mm×0.1mm。
钟业奎[2]（2021）在《6-18GHz超宽带6位MMIC数字移相器的研究与设计》文中提出小型化、超宽带、高性能的移相器一直以来备受关注,随着国际形势白热化,发达国家对中国提出了一系列核心技术禁运政策,高端射频芯片形势相当严峻,长久以来,国内移相器技术发展始终受限于发达国家。针对电子对抗系统对特定频率（C波段（4-8GHz）、X波段（8-12GHz）、Ku波段（12-18GHz））的需求,开展高性能超宽带数字移相器芯片的研究具有重要意义。本文的主要研究重点为6-18GHz频率范围内的超宽带MMIC数字移相器设计。针对超宽带数字移相器设计需求,从理论分析和器件参数化建模出发,针对开关管、电阻等无源器件进行了仿真分析,根据不同结构移相器的优缺点,结合设计指标要求,确定了各种不同移相单元的电路拓扑。综合Lange定向耦合器的结构及主要影响参数,基于ED25工艺设计了超宽带Lange耦合器,依托该结构设计了超宽带0/90°数字移相器的拓扑单元;详细分析了螺旋Marchand Balun结构特点,推导了理想Balun的工作条件,设计了超宽带变压器Balun结构,配合单刀双掷开关结构,实现了6-18GHz频率范围内的超宽带0/180°数字移相器的设计;采用全通网络、嵌入式开关网络、反射式移相网络设计了6位数字移相器的主要移相单元,通过级间匹配,优化组合完成了6位数字移相器的级联,优化调整得到超宽带6位数字移相器的电路结构,仿真结果表明,在6-18GHz的频率范围内具备良好的电学性能特点。结合具体设计规则,完成了相关电路的版图设计。仿真结果表明:设计的超宽带0/90°数字移相器和0/180°数字移相器的各项电学性能指标良好,满足设计需求。超宽带0/90°数字移相器芯片的尺寸为3mm×0.8mm×0.1mm;超宽带0/180°数字移相器芯片的尺寸为:1mm×0.8mm×0.1mm;设计的超宽带6位数字移相器,在6-18GHz的频率范围内,64个移相状态的均方根误差RMS小于7.0°,输入输出回波损耗大于10.5d B,插入损耗小于13.723d B,芯片的尺寸为:3mm×2.8mm×0.1mm,满足芯片设计指标要求,同时达到了芯片超宽带、小型化设计理念。
罗磊[3]（2021）在《Ku波段硅基相控阵收发组件关键技术研究与芯片设计》文中研究表明随着微波毫米波集成电路技术的进步,有源相控阵雷达技术也在不断的发展。T/R（Transmit/Receive）组件作为相控阵雷达中的关键部件,其性能直接影响到相控阵雷达的整体性能。为了适应相控阵雷达系统多功能、高集成、高性能、低成本的发展需求,CMOS和SiGe BiCMOS等硅基半导体工艺已被广泛应用于T/R组件电路设计中。因此,采用硅基工艺对T/R组件中的电路进行研究和设计具有重要的现实意义和应用价值。本文致力于Ku波段硅基相控阵收发组件的关键技术研究与芯片设计。基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,本文完成了 6-18 GHz宽带无源巴伦、两款12-18 GHz单刀双掷开关、15-17 GHz低噪声放大器、14-16 GHz单级功率放大器、14-18 GHz两级功率放大器、12-17 GHz 6位数控步进衰减器、10-18 GHz 6位数控有源移相器、6-18 GHz 6位数控有源移相器和13-15 GHz硅基幅相控制多功能系统芯片的流片验证。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种适用于微波、毫米波电路设计的路场混合仿真方法。在对无源巴伦研究分析的基础上,采用开路短截线补偿技术,设计了一款工作在6-18 GHz频率范围内,幅度平衡度和相位平衡度优良的宽带无源巴伦芯片,为后续章节有源移相器的设计提供所需的巴伦。测试结果表明:在6-18 GHz频率范围内,该宽带无源巴伦幅度不平衡度小于1 dB,相位不平衡度小于2.2°。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,采用深N阱NMOS射频nfettwrf晶体管和dgnfettwrf晶体管,使用串并联电路结构并结合衬底浮接技术和LC谐振技术,设计了两款工作在12-18 GHz频率范围内的单刀双掷开关芯片。测试结果表明:1.小线性度串并联单刀双掷开关插入损耗小于1.97dB,开关隔离度大于-29.5dB,开关线性度大于11.98dBm;2.线性度可调串并联单刀双掷开关损耗小于2dB,开关隔离度大于-37.5dB,开关线性度最高可达26.8 dBm。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,使用SiGe HBT晶体管,设计了一款工作频段位于15-17 GHz,带有片内温度补偿电路和ESD保护电路的低噪声放大器芯片。测试结果表明:在15-17 GHz频段范围内,增益S21为15.1～13.6 dB,噪声系数为3.4～3.8 dB,输入端口S11小于-9.1 dB,输出端口S22小于-10.4 dB,输入线性度IP-1dB大于-9.8 dBm。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,使用SiGe HBT晶体管,设计了两款工作频段位于Ku波段的功率放大器芯片。测试结果表明:1.单级功率放大器的工作频段位于14-16 GHz,增益 S21 为 9.3～7.3 dB,输入端口 S11 为-8.4～-12.4 dB,输出端口 S22 为-5～-6.2dB,输出线性度OP-1dB最大可达17.83dBm,最大功率附加效率PAE可达17.9%;2.两级功率放大器的工作频段位于14-18 GHz,增益S21为22.4～26.9 dB,输入端口S11为-6.5～-20.7 dB,输出端口-3.3～-7dB,输出线性度OP-1dB最大可达21.43dBm,最大功率附加效率PAE可达18%;本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,对数控衰减器中常用的衰减单元电路进行了相应的分析和研究,在研究的基础上提出了一种新的电容补偿方法,设计了一款工作频段位于12-17 GHz的6位数控衰减器芯片。测试结果表明:在12-17 GHz频率范围内,衰减器输入端口 S11<-13 dB,输出端口 S22<-14 dB,插入损耗为6.99～9.33 dB,最大衰减量为31.8～30.3 dB,衰减RMS幅度误差值为0.58～0.36 dB,衰减RMS相位误差值为2.06°～3.46°,输入线性度 IP-1dB 为 13.6～16.2 dBm。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,使用宽带无源巴伦,结合两级RC多相滤波器和正交全通滤波器电路结构,采用矢量调制的方法设计了两款6位数控有源移相器芯片。同时,对有源移相器电路中所要使用到的电路模块进行了详细的分析和介绍。测试结果表明:1.10-18 GHz 6位数控有源移相器输入端口 S11<-8.9 dB,输出端口 S22<-11.5 dB,增益幅度S21为-10.1～-12.8 dB,移相RMS幅度误差小于1.1 dB,移相RMS相位误差为1.5°～3.7°,在0°移相状态（参考态）下,输入线性度IP-1dB为9.4～11.2 dBm;2.6-18 GHz 6位数控有源移相器输入端口S11<-9.2 dB,输出端口 S22<-10.4 dB,增益幅度S21为S21为-1.85～0.95 dB,移相RMS幅度误差小于1.04 dB,移相RMS相位误差小于4.36°,在0°移相状态（参考态）下,输入线性度IP-1dB为5.4～8 dBm。本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,结合所研究的各个子模块电路,设计了一款工作频段位于13-15 GHz的硅基幅相控制多功能系统芯片。测试结果表明:在13.6～15.5 GHz频率范围内,接收链路增益大于7 dB,噪声系数值为10.2～17.8dB。在13～15 GHz频率范围内,接收链路移相RMS幅度误差为1.07～1.46 dB,移相RMS相位误差为3°～4.51°,最大衰减范围为29.5～28.2 dB,衰减RMS幅度误差为0.81～1.42 dB,衰减RMS相位误差为3.47°～4.8°,在14 GHz频率处的输入1dB压缩点为-15.4 dBm;在13.2～15.1GHz频率范围内,发射链路增益大于5 dB。在13～15 GHz频率范围内,发射链路移相RMS幅度误差为0.33～2.07 dB,移相RMS相位误差为3.4°～4.89°,最大衰减范围为29.2～28 dB,衰减RMS幅度误差为1～1.67 dB,衰减RMS相位误差为3.38°～6.46°,在14 GHz频率处的输入1dB压缩点为4.6 dBm,饱和输出功率为13 dBm。初步实现了相应的衰减移相功能,并为后续的设计改进提供了坚实基础。
谢媛媛[4]（2020）在《氮化镓幅相控制多功能芯片的研究》文中研究指明相控阵天线广泛应用于雷达、通信、导航等领域。有源相控阵天线的收发通道采用了大量的收发组件（T/R module）。幅相控制多功能芯片（MFC）是T/R组件的关键部件,通常由微波单片集成电路（MMIC）技术实现。随着探测性能、成本和可靠性的要求越来越高,现代雷达系统急需更新换代,对氮化镓（GaN）幅相控制多功能芯片提出设计需求。本文介绍了幅相控制多功能芯片的基本原理和相关技术,利用计算机辅助设计（CAD）技术,基于GaN工艺研究幅相控制多功能芯片。作者完成的主要工作如下:（1）依据GaN幅相控制多功能芯片的设计目标进行总体架构设计,给核心电路合理分配设计指标,制定多功能芯片分层设计方案。设计分层大大提高了幅相控制多功能芯片的设计效率。（2）研究GaN微波开关、数字移相器、数字衰减器和增益放大器的拓扑和设计要点,根据核心电路的设计指标进行优化仿真。给多目标、多状态、多变量的幅相控制电路设定合理的优化路径。研制出高性能的GaN数字移相器和数字衰减器。（3）设计并仿真GaN幅相控制多功能芯片的整体电路。根据电路设计结果进行版图设计。完成GaN幅相控制多功能芯片的制作和测试。本文成功研制出X波段GaN幅相控制多功能芯片,并取得了较高的经济效益。本文对小型化、高集成度、高精度的GaN幅相控制多功能芯片进行了深入的研究,对提高新一代T/R组件的性能、降低雷达系统的成本具有非常重要的意义。
曹蕊[5]（2020）在《L波段有源相控阵雷达收发组件的研究与实现》文中进行了进一步梳理在复杂多变的电磁环境下,有源相控阵雷达因其天线波束变化速度快、空间功率合成能力强的特点,能够可靠、高效完成多目标跟踪、高数据搜索等工作,从而被广泛应用于舰载预警、敌我识别、气象探测等领域。收发组件是有源相控阵雷达架构的核心,其性能的优劣直接影响雷达系统的工作性能,其中,对干扰信号的抑制能力是收发组件的关键指标之一。因此,合理设计出干扰抑制能力强、可靠性高的收发组件可以提高有源相控阵雷达的工作性能,拓宽其应用场景。本文从提高收发组件干扰抑制能力这一需求出发,设计了一种用于L波段的、可以有效抑制镜像干扰与谐波干扰的有源相控阵收发组件,主要工作内容如下:（1）阐述了收发组件的基本理论。包括收发组件中各项关键技术指标和目前典型的收发组件结构,针对本次设计的频率范围与镜像抑制指标等,选择采用数字中频结构,其优点是结构简单、干扰抑制能力强、可靠性高。（2）分析了收发组件中低噪放电路的非线性失真问题。从非线性模型出发,介绍了低噪放电路非线性失真的原因及影响,分析优化偏置、负反馈、谐波终端技术提高线性度的原理及各自优缺点,并通过仿真验证效果。使用优化偏置技术完成了B3频段高线性度低噪放电路的设计,实测表明,该电路增益为33d B,三阶截断点输出功率大于38d Bm。（3）设计了一种有效抑制镜像干扰和谐波干扰的有源相控阵收发组件。根据数字中频结构与收发组件的技术指标,引入窄带滤波器组件降低镜像干扰;通过合理分配指标及各单元电路的器件选型,提高电路的谐波抑制能力。并对收发组件的收发链路进行仿真、加工以及实物测试,结果表明接收链路的输出功率为6.7d Bm,噪声系数为2d B,镜像抑制大于57d B,发射链路的输出功率为39.6d Bm,谐波抑制度大于60dBc,满足指标要求,该电路设计具有可行性和可靠性。
华文亮[6]（2020）在《宽带智能微波数字移相器的设计与研究》文中指出移相器广泛应用于通信、雷达、电子对抗及微波自动测量等系统中,尤其在相控阵天线、雷达系统中应用最为广泛。捷变频通信雷达系统具有瞬时输入信号窄带、系统工作带宽宽的特点,对移相器的各项技术指标诸如带宽、移相精度和通带均衡度等提出了更高要求。因此,宽带高精度移相器的设计已经成为学界、业界广泛关注和研究的课题。本文提出了分频段组合矢量调制技术结合智能侦测补偿技术的新方法,设计并实现了一款4倍频程的V/UHF频段宽带微波数字移相器。具体工作如下:第一、提出分频段组合矢量调制技术以实现宽带数字移相。首先在分析移相器实现方案的基础上,讨论采用矢量调制技术实现移相器的工作原理,并设计了一款窄带数字矢量调制移相器,对移相误差进行了理论分析与实验验证。在此基础上提出分频段组合矢量调制技术以实现宽带移相,设计了相应的硬件电路和软件,实验结果表明,在工作频带内实现了宽带移相,但在移相精度和通带均衡度方面存在不足。第二、提出智能侦测补偿技术以实现智能宽带数字移相。为了满足移相器高精度、通带均衡度好的要求并考虑实际的输入信号窄带性特点,提出并设计了智能侦测补偿系统,该系统通过对输入信号频率的侦测,采用软件对校验测试结果进行分析处理并调整移相控制的参数和放大器的增益,再通过系统硬件进行补偿校正,提高了移相精度,并实现移相器的误差智能补偿,达到宽带通带均衡的要求。该系统主要分为频率侦测设计和幅度补偿设计两部分。论文中详细给出了系统的软硬件实现过程及测试结果,实验结果表明智能侦测补偿技术是较为有效的。总之,本文提出的分频段组合矢量调制技术结合智能侦测补偿技术较好地解决了移相器在带宽、移相精度、通带均衡度等方面性能不佳的问题,为相关工程应用提供了新的设计思路。
侯孝攀[7]（2020）在《S波段四位数字移相技术研究》文中研究指明移相器,相控阵雷达中的重要器件,以电控的方式改变波瓣的倾斜角度,替代了传统的机械转动,提升了雷达的性能与效率。通信基站中也应用了移相器,通过电调天线,增大了基站的覆盖面积,使基站的利用率进一步升高。除此之外,移相器在微波测量,电力系统功率控制等领域也有着应用。插入损耗低,相位精度高,尺寸小,功率容量大,开关速度快等都是移相器需要发展的方向。论文论述了PIN二极管的组成原理以及正向偏置和反向偏置的工作原理以及对应的等效电路。其次对半导体移相器的几种类型的工作原理以及各自的特点进行了详细的说明。最后,基于PIN二极管,采用了开关线型移相器的原理,设计了一款S波段四位数字移相器,并对几种电路拓扑结构中的PIN管的功率损耗作了对比说明,设计了一款S波段四位数字移相器,该移相器具有较低插损。同时,详细介绍了各个移相器单元的设计、仿真和调试。本文设计的一个四位移相器的工作频带为3.3GHz-3.8GHz。最后,对加工好的移相器实物完成了性能测试。从测试结果可以知道,移相器的中心频率（3.55GHz）的相位精度在小于±1°,插入损耗基本上控制小于1.5dB,输入回波损耗和输出回波损耗也基本上低于-15dB。
陈新[8]（2019）在《8毫米T/R组件的设计与实现》文中进行了进一步梳理本课题围绕防空武器系统中Ka波段跟踪雷达的研制需求为背景,针对目前跟踪雷达对毫米波收发组件提出的性能要求,着重解决毫米波T/R组件在研制和生产上尚未解决的技术难题,开展毫米波T/R组件的设计和研制工作,为今后毫米波雷达研制过程中T/R组件的设计与生产提供有力的技术支撑。8毫米T/R组件的研制基于MMIC芯片的混合集成电路技术,其主要目的是通过利用目前国内成熟的毫米波MMIC芯片,在此基础上利用微带线平面电路结构,将各功能芯片级联使用,最终实现毫米波T/R组件对信号的收发功能。本次课题的主要目的是:掌握毫米波电路设计的核心技术,了解毫米波电路的加工工艺流程,完成8毫米GaN收发组件的研制。本文主要工作内容如下:1、研究T/R组件的基本设计原理,针对各种设计方法的优缺点,寻找满足本课题要求的最佳设计方案,对课题中需要使用的MMIC芯片的设计原理和使用进行重点研究。2、T/R组件硬件电路设计,研究包括射频发射支路的设计、射频接收支路的设计、电源控制电路的设计、微带—波导过渡电路的设计等。重点探讨电路设计的理论依据和设计思路,并利用ADS、HFSS等软件对电路进行仿真验证。3、T/R组件的结构设计和微组装过程。T/R组件经过超声波清洗、导电胶粘接、芯片共晶烧结、金丝键合、盒体封焊等工艺后,完成设计工作,最后成品展示。4、8毫米T/R组件测试和功能验证。对不满足指标要求的各项指标,结合电路设计和装配工艺分析其问题原因,给出解决方案。
钟怀磊[9]（2019）在《混合集成X波段小型化T/R组件的设计与实现》文中提出T/R组件作为相控阵雷达的核心部件,其各项性能直接决定了雷达整体性能的好坏。随着电子产品逐渐向小型化方向发展,为减少整个雷达整机的重量,体积,使之能适合舰载,机载,车载等需要灵活应用的场合,T/R组件的小型化成为雷达组件设计制作中的重要研究内容。本课题源自亚光电子股份有限公司,主要研究基于微波多层板平台实现T/R组件的小型化。X波段相控阵雷达工作频率高,波长短,探测精度高,因此广泛应用在各种军用电子系统上。针对军用产品小批量,多品种的特点,微波多层板结合了多层电路的成熟工艺与微波材料的特点,在保证高频信号传输低损耗的同时,使用灵活,性价比较高,是军用电子系统优选的工艺路线之一。1.简要介绍相控阵雷达,介绍T/R组件在相控阵雷达上的应用。介绍混合集成工艺,微波多层板工艺在T/R组件上的应用情况。2.完成X波段T/R组件的设计与实现。介绍了T/R组件中的数控移相器,数控衰减器原理。完成了数控移相器和多功能芯片两款芯片的制作,同时详细测试了该两款产品的关键参数。根据任务书要求完成了组件发射通道,接收通道的原理设计,元器件的选用及各项指标的计算。3.基于微波多层板平台,研究了微波多层板的材料以及工艺过程,针对小型化使用到的埋阻工艺进行了创新。进行T/R组件的加工制作,梳理了微组装工艺过程并对其中关键步骤进行了研究,对微组装过程中的各种方法进行了分析比较,完成了该产品最终的微组装实现过程,制作完成的产品体积和重量都达到了产品小型化的需求。4.完成X波段T/R组件的各项参数测试,所有指标均满足项目要求。
徐蕾[10]（2019）在《K波段6位MMIC数字移相器与衰减器的设计》文中研究表明移相器与衰减器作为一种幅相控制器件,在微波电路中起着非常重要的作用,尤其是在相控阵雷达与移动通信系统的收发组件中,它们通常同时出现用于实现信号的空间扫描。随着单片微波集成电路的不断发展,人们对体积小、重量轻、可靠性高、生产重复性高的微波器件的需求越来越多。本文基于单片微波集成电路技术设计了一款同时集成移相功能与衰减功能的芯片,该芯片包含6位数字移相器与6位数字衰减器。芯片的设计指标为插入损耗小于17dB,输入输出驻波比小于2,64态相移均方根误差小于5°,64态衰减均方根误差小于0.6 dB。本文针对K波段六位数字移相器与衰减器进行了研究,基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,采用ADS软件完成了电路设计。介绍了移相器与衰减器的工作原理与常见的电路拓扑结构,以及不同结构各自的优缺点。对电路中的有源器件pHEMT进行了开关特性分析,分析其对电路性能的影响,并对电路中用到的各种无源器件模型进行了分析。完成了6位移相器与6位衰减器单元电路的设计,5.625°移相单元采用并联电感型结构,11.25°、22.5°、45°移相单元采用全通型结构,90°、180°移相单元采用高通低通型结构,6位衰减单元均采用T型衰减网络级联设计,通过反复迭代的方法不断优化电路元件参数,直至单级电路性能满足设计指标。将各个单级电路级联,在不同的级联顺序下对完整电路进行S参数分析,完成了级联顺序设计,并解决级间匹配的问题,在移相器与衰减器的各个性能指标之间取得平衡,使芯片整体性能最佳。在ADS中完成了移相器与衰减器的版图设计,并对版图进行电磁场仿真,通过仿真结果分析完成版图优化。最终设计出的芯片版图面积为6.5mm×1.1mm,版图电磁场仿真结果表明,在28-32GHz频带范围内,当衰减置零时,64种移相状态的插入损耗均小于16.3dB,64种移相状态与64种衰减状态的输入输出驻波比均小于1.87,64态移相均方根误差为3.25°,64态衰减均方根误差为0.27dB。移相64态插入损耗波动在±1.52dB之间,衰减64态附加相移在±24.2°之间。
二、S波段单片集成5位数控移相器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、S波段单片集成5位数控移相器（论文提纲范文）
（1）X波段控制模块电路研究与设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 数控移相器国内外研究现状 |
| 1.2.2 数控衰减器国内外研究现状 |
| 1.3 本文研究内容与安排 |
| 第二章 移相器与衰减器的基本理论 |
| 2.1 数控移相器的基本理论 |
| 2.1.1 移相器的原理与分类 |
| 2.1.2 移相器的指标参数 |
| 2.1.3 常见移相器拓扑及性能分析 |
| 2.1.3.1 开关线型移相器 |
| 2.1.3.2 加载线型移相器 |
| 2.1.3.3 反射型移相器 |
| 2.1.3.4 高低通式移相器 |
| 2.1.3.5 开关嵌入式移相器 |
| 2.2 数控衰减器的基本理论 |
| 2.2.1 数控衰减器的技术指标 |
| 2.2.2 常见衰减器拓扑及性能分析 |
| 2.2.2.1 SPDT选通式衰减器 |
| 2.2.2.2 分布式衰减器 |
| 2.2.2.3 开关内嵌式 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 宽带数控移相器设计 |
| 3.1 芯片设计指标 |
| 3.2 移相器设计架构及方案评估 |
| 3.2.1 移相器整体架构 |
| 3.2.2 移相单元方案评估 |
| 3.3 开关管的选取 |
| 3.3.1 开关管等效模型分析 |
| 3.3.2 开关管优选与寄生参数提取 |
| 3.4 移相单元设计 |
| 3.4.1 5.625°移相单元设计 |
| 3.4.2 11.25°移相单元设计 |
| 3.4.3 22.5°移相单元设计 |
| 3.4.4 45°移相单元设计 |
| 3.4.5 90°移相单元设计 |
| 3.4.6 180°移相单元设计 |
| 3.5 驱动电路设计 |
| 3.5.1 反相器设计 |
| 3.5.2 电平位移电路设计 |
| 3.6 级联顺序设计 |
| 3.7 移相器版图设计及仿真结果 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 宽带数控衰减器设计 |
| 4.1 芯片设计指标 |
| 4.2 衰减器整体框架 |
| 4.3 开关管的选取 |
| 4.4 衰减单元设计 |
| 4.4.1 0.5dB和1dB衰减位设计 |
| 4.4.2 2dB衰减位设计 |
| 4.4.3 4dB衰减位设计 |
| 4.4.4 8dB和16dB衰减位设计 |
| 4.5 驱动电路设计 |
| 4.6 级联原理图设计与仿真 |
| 4.7 版图设计与仿真 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（2）6-18GHz超宽带6位MMIC数字移相器的研究与设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 移相器简介 |
| 1.2 移相器的研究背景与意义 |
| 1.3 数字移相器的国内外发展动态 |
| 1.3.1 数字移相器的国外发展 |
| 1.3.2 数字移相器的国内发展 |
| 1.4 本文的主要内容及结构 |
| 第二章 数字移相器基本理论 |
| 2.1 移相器的分类 |
| 2.2 微波数字移相器的关键技术指标 |
| 2.3 微波数字移相器的基本电路类型及性能分析 |
| 2.3.1 开关线型移相器 |
| 2.3.2 加载线型移相器 |
| 2.3.3 反射型移相器 |
| 2.3.4 高低通网络移相器 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 6-18GHz超宽带0/90°数字移相器的设计 |
| 3.1 GaAs pHEMT分析及优化仿真 |
| 3.1.1 0.25um pHEMT GaAs工艺介绍 |
| 3.1.2 0.25um pHEMT GaAs工艺仿真模型分析 |
| 3.1.3 pHEMT开关管工作电压选取 |
| 3.2 Lange耦合器理论分析及仿真设计 |
| 3.2.1 Lange耦合器的基本原理 |
| 3.2.2 Lange耦合器的仿真设计 |
| 3.3 超宽带0/90°数字移相器拓扑结构设计 |
| 3.4 超宽带0/90°数字移相器的版图设计及仿真优化 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 6-18GHz超宽带0/180°数字移相器的设计 |
| 4.1 Balun分析及结构设计 |
| 4.1.1 3dB Balun的奇偶模分析 |
| 4.1.2 Marchand Balun的参数化建模及结构优化 |
| 4.2 超宽带0/180°数字移相器的拓扑结构设计 |
| 4.3 超宽带0/180°数字移相器的版图设计及仿真优化 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 6-18GHz超宽带6位MMIC数字移相器的设计 |
| 5.1 芯片设计目标 |
| 5.2 6-18GHz超宽带6位MMIC数字移相器的电路方案研究 |
| 5.3 6 位主移相单元的电路拓扑及版图设计 |
| 5.3.1 5.625°移相单元 |
| 5.3.2 11.25°、22.5°移相单元 |
| 5.3.3 45°、90°、180°移相单元 |
| 5.4 6 位主移相单元的级联 |
| 5.5 6-18GHz MMIC数字移相器性能对比 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 未来展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 |
（3）Ku波段硅基相控阵收发组件关键技术研究与芯片设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 T/R组件及其子模块电路芯片国内外研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 课题研究内容与难点 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 研究难点 |
| 1.4 论文的结构安排 |
| 1.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第2章 幅相控制多功能芯片系统设计 |
| 2.1 有源相控阵收发系统结构分析 |
| 2.1.1 有源相控阵收发系统结构分析 |
| 2.1.2 收发组件芯片结构分析 |
| 2.2 幅相控制多功能芯片系统结构设计 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 无源器件研究与设计 |
| 3.1 电磁场仿真软件工具介绍 |
| 3.2 ADS路场混合仿真方法与工艺衬底建模 |
| 3.2.1 ADS路场混合仿真方法 |
| 3.2.2 工艺衬底建模 |
| 3.3 电感电磁场仿真方法研究与验证 |
| 3.4 无源巴伦研究与设计 |
| 3.4.1 巴伦主要指标 |
| 3.4.2 无源巴伦分析与设计 |
| 3.4.3 无源巴伦测试结果 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 Ku波段单刀双掷开关研究与设计 |
| 4.1 开关分类 |
| 4.2 开关主要性能指标 |
| 4.3 常见的单刀双掷开关电路结构 |
| 4.4 Ku波段单刀双掷开关分析与设计 |
| 4.4.1 Ku波段小线性度串并联单刀双掷开关电路设计 |
| 4.4.2 Ku波段小线性度串并联单刀双掷开关电路芯片测试结果 |
| 4.4.3 Ku波段线性度可调串并联单刀双掷开关电路设计 |
| 4.4.4 Ku波段线性度可调串并联单刀双掷开关电路芯片测试结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 Ku波段放大器电路研究与设计 |
| 5.1 放大器电路主要性能指标 |
| 5.2 SiGe HBT器件频率特性和噪声特性分析 |
| 5.2.1 SiGe HBT器件频率特性分析 |
| 5.2.2 SiGe HBT器件噪声特性分析 |
| 5.3 Ku波段SiGe HBT低噪声放大器电路研究与设计 |
| 5.3.1 SiGe HBT低噪声放大器电路分类 |
| 5.3.2 Ku波段SiGe HBT低噪声放大器电路分析与设计 |
| 5.3.3 Ku波段SiGe HBT低噪声放大器芯片测试结果 |
| 5.4 Ku波段功率放大器电路研究与设计 |
| 5.4.1 SiGe HBT功率放大器电路分类 |
| 5.4.2 Ku波段单级功率放大器电路分析与设计 |
| 5.4.3 Ku波段单级功率放大器芯片测试结果 |
| 5.4.4 Ku波段两级高增益功率放大器电路分析与设计 |
| 5.4.5 Ku波段两级高增益功率放大器芯片测试结果 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 Ku波段数控衰减器电路研究与设计 |
| 6.1 衰减器主要性能指标 |
| 6.2 衰减器电路结构分类 |
| 6.2.1 开关路径衰减器 |
| 6.2.2 分布式衰减器 |
| 6.2.3 开关T/Π型衰减器 |
| 6.2.4 X-型衰减器 |
| 6.3 Ku波段6 位数控衰减器分析与设计 |
| 6.4 Ku波段6 位数控衰减器芯片测试结果 |
| 6.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第7章 Ku波段数控移相器电路研究与设计 |
| 7.1 移相器主要性能指标 |
| 7.2 移相器电路结构分类 |
| 7.2.1 开关线型移相器 |
| 7.2.2 加载线型移相器 |
| 7.2.3 高通-低通式移相器 |
| 7.2.4 放大器型移相器 |
| 7.3 Ku波段6 位数控移相器分析与设计 |
| 7.3.1 输入巴伦的设计 |
| 7.3.2 两级RC多相滤波器的设计 |
| 7.3.3 正交全通滤波器的设计 |
| 7.3.4 模拟差分加法器的设计 |
| 7.3.5 数模转换电路的设计 |
| 7.3.6 输出缓冲和有源巴伦电路的设计 |
| 7.3.7 插损补偿放大器的设计 |
| 7.3.8 10-18 GHz6 位数控移相器的设计 |
| 7.3.9 6-18 GHz6 位数控移相器的设计 |
| 7.4 Ku波段6 位数控移相器芯片测试结果 |
| 7.4.1 10-18 GHz6 位数控移相器芯片测试结果 |
| 7.4.2 6-18 GHz6 位数控移相器芯片测试结果 |
| 7.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第8章 Ku波段幅相控制多功能芯片系统集成与测试 |
| 8.1 Ku波段幅相控制多功能芯片系统集成 |
| 8.2 系统集成芯片版图设计考虑 |
| 8.3 Ku波段幅相控制多功能芯片系统测试 |
| 8.3.1 接收链路测试结果 |
| 8.3.2 发射链路测试结果 |
| 8.3.3 Ku波段幅相控制多功能芯片系统测试结果 |
| 8.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第9章 总结与展望 |
| 9.1 总结 |
| 9.2 展望 |
| 攻读博士学位期间发表论文目录 |
| 攻读博士学位期间申请专利目录 |
| 致谢 |
（4）氮化镓幅相控制多功能芯片的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 本课题的研究进展 |
| 1.2.1 T/R组件微波单片集成电路的历史与发展 |
| 1.2.2 幅相控制多功能芯片的研究现状 |
| 1.2.3 GaN幅相控制类芯片的研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 第2章 幅相控制多功能芯片原理基础 |
| 2.1 微波网络参数基本概念 |
| 2.2 幅相控制多功能芯片原理 |
| 2.2.1 T/R组件多功能芯片技术 |
| 2.2.2 幅相控制多功能芯片的分类 |
| 2.3 幅相控制电路基本原理 |
| 2.3.1 开关器件工作机理 |
| 2.3.2 数字移相器基本原理 |
| 2.3.3 数字衰减器基本原理 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 GaN幅相控制多功能芯片总体架构设计 |
| 3.1 设计需求 |
| 3.1.1 主要技术参数 |
| 3.1.2 设计目标 |
| 3.2 总体架构 |
| 3.2.1 设计原则 |
| 3.2.2 功能单元与构成框图 |
| 3.2.3 核心电路的设计指标 |
| 3.2.4 设计流程 |
| 3.2.5 器件的选取 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 GaN幅相控制多功能芯片设计及仿真 |
| 4.1 微波开关的设计 |
| 4.1.1 微波开关的基本拓扑 |
| 4.1.2 GaN开关的设计及仿真 |
| 4.2 数字移相器的设计 |
| 4.2.1 数字移相器的拓扑选择 |
| 4.2.2 GaN六位移相器的设计及仿真 |
| 4.3 数字衰减器的设计 |
| 4.3.1 数字衰减器的拓扑选择 |
| 4.3.2 GaN六位衰减器的设计及仿真 |
| 4.4 增益放大器的设计 |
| 4.4.1 增益放大器原理及分析 |
| 4.4.2 GaN增益放大器的设计及仿真 |
| 4.5 GaN驱动电路设计 |
| 4.6 GaN幅相控制多功能芯片整体电路设计 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 GaN幅相控制多功能芯片实施与验证 |
| 5.1 测试系统 |
| 5.2 测试方案 |
| 5.3 测试结果 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 附录 缩略语对照表 |
| 附录 主要符号表 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（5）L波段有源相控阵雷达收发组件的研究与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题的研究背景及意义 |
| 1.2 国内外发展现状 |
| 有源相控阵雷达收发组件的发展现状 |
| 低噪声放大器线性化技术的发展现状 |
| 1.3 论文研究内容及组织结构 |
| 第二章 收发组件的基本理论与方案研究 |
| 2.1 收发组件的关键技术指标 |
| 增益 |
| 噪声系数 |
| 灵敏度 |
| 线性度 |
| 动态范围 |
| 镜像抑制 |
| 2.2 收发组件的主要分类 |
| 超外差结构 |
| 零中频结构 |
| 数字中频结构 |
| 2.3 收发组件的方案选择 |
| 收发组件的技术指标 |
| 收发组件的结构 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 收发组件中低噪放电路的线性化分析 |
| 3.1 低噪声放大器的非线性模型 |
| 3.2 低噪声放大器的非线性失真 |
| 谐波失真 |
| 增益压缩 |
| 交调失真 |
| 3.3 低噪声放大器的线性化技术 |
| 优化偏置技术 |
| 负反馈技术 |
| 谐波终端技术 |
| 3.4 低噪声放大器线性化技术的验证 |
| 线性度的测量 |
| L波段低噪声放大器的仿真设计 |
| 线性化技术的验证 |
| 3.5 高线性度低噪声放大器的设计 |
| 技术指标 |
| 方案设计 |
| 电路设计 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 L波段相控阵雷达收发组件的研究与设计 |
| 4.1 收发组件的研究设计 |
| 幅相一致性 |
| 谐波、寄生杂波、镜频信号抑制 |
| 收发组件整体框图 |
| 4.2 收发组件的器件选型设计 |
| 接收链路的器件选型设计 |
| 发射链路的器件选型设计 |
| 电源、控制部分选型设计 |
| 4.3 收发组件关键指标的参数估算 |
| 输出功率指标估算 |
| 噪声系数指标估算 |
| 灵敏度指标估算 |
| 4.4 收发组件的链路仿真 |
| 接收电路的链路仿真 |
| 发射电路的链路仿真 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 收发组件的实物测试与结果 |
| 5.1 接收链路的实物测试与结果 |
| 5.2 发射链路的实物测试与结果 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（6）宽带智能微波数字移相器的设计与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 移相器研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容与章节安排 |
| 第2章 窄带数字矢量调制移相器基本原理及实现 |
| 2.1 移相器基本类型及原理 |
| 2.2 矢量调制移相器工作原理 |
| 2.3 窄带矢量调制移相器的设计与实现 |
| 2.3.1 移相器整体电路 |
| 2.3.2 矢量调制移相器误差分析 |
| 2.3.3 窄带数字矢量调制移相器设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 分频段组合宽带微波数字移相器设计 |
| 3.1 系统方案选择 |
| 3.2 分频段组合数字移相器的设计 |
| 3.2.1 硬件设计 |
| 3.2.2 软件设计 |
| 3.3 分频段组合宽带数字移相器的性能测试与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 移相器智能侦测补偿技术设计与应用研究 |
| 4.1 智能侦测补偿技术的提出 |
| 4.2 频率侦测电路设计 |
| 4.3 幅度补偿电路设计 |
| 4.4 带智能侦测补偿的宽带智能微波数字移相器实现 |
| 4.4.1 宽带智能微波数字移相器软硬件设计 |
| 4.4.2 宽带智能微波数字移相器测试与误差分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 本论文工作总结 |
| 5.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
（7）S波段四位数字移相技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 移相器的基本概念及应用 |
| 1.2 移相器的发展动态 |
| 1.3 本文结构安排 |
| 第二章 微波电控器件及PIN二极管 |
| 2.1 微波电控器件简述 |
| 2.2 PIN二极管基本原理及特性 |
| 2.3 PIN二极管的等效电路 |
| 2.4 PIN二级管的主要参数 |
| 2.5 微带线开关 |
| 2.6 PIN二极管管芯金丝键合工艺 |
| 2.7 小结 |
| 第三章 数字移相器 |
| 3.1 基本移相原理 |
| 3.2 移相器的主要性能指标 |
| 3.2.1 移相精度 |
| 3.2.2 功率容量 |
| 3.2.3 插入损耗 |
| 3.2.4 插入驻波比 |
| 3.2.5 工作频带 |
| 3.2.6 动作时间 |
| 3.3 不同结构类型的移相器及电路分析 |
| 3.3.1 开关线型移相器 |
| 3.3.2 负载线型移相器 |
| 3.3.3 反射型移相器 |
| 3.3.4 高通-低通型移相器 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 S波段四位数字移相技术研究 |
| 4.1 拓扑结构选择 |
| 4.1.1 2×2×2×2 串联型 |
| 4.1.2 2×2×2×2 并联型 |
| 4.1.3 4×2 串联型 |
| 4.1.4 对比分析 |
| 4.2 元器件选择 |
| 4.3 各个移相单元的设计与仿真 |
| 4.4 版图与腔体设计 |
| 4.5 控制电路设计 |
| 4.6 移相器的组装与调试 |
| 4.7 实物测试 |
| 第五章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）8毫米T/R组件的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 背景 |
| 1.2 国内外研究动态 |
| 1.3 当前T/R组件的发展 |
| 1.4 课题研究目标及主要研究内容 |
| 第二章 8毫米T/R组件的设计方案 |
| 2.1 T/R组件的工作原理 |
| 2.1.1 收发支路分离结构 |
| 2.1.2 收发共用移相器结构 |
| 2.1.3 Common Leg结构 |
| 2.2 T/R 组件的主要技术参数 |
| 2.2.1 发射输出功率 |
| 2.2.2 杂散抑制度 |
| 2.2.3 接收噪声系数 |
| 2.2.4 接收增益 |
| 2.2.5 带内增益平坦度 |
| 2.2.6 接收P-1 输出功率 |
| 2.2.7 衰减控制 |
| 2.2.8 移相控制 |
| 2.3 T/R组件设计方案 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 射频有源电路的设计与仿真 |
| 3.1 发射支路设计与仿真 |
| 3.1.1 移相器 |
| 3.1.2 放大链路放大器 |
| 3.1.3 发射支路级联仿真 |
| 3.2 接收支路设计与仿真 |
| 3.2.1 限幅器 |
| 3.2.2 低噪声放大器 |
| 3.2.3 接收支路链路仿真 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 射频无源电路与电源控制电路设计 |
| 4.1 微带传输线 |
| 4.2 微带—波导过渡设计 |
| 4.2.1 波导接口设计分析 |
| 4.2.2 电路仿真及样件测试 |
| 4.3 电源控制电路的设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结构设计及组件实现 |
| 5.1 结构设计 |
| 5.2 热设计 |
| 5.3 微组装过程及组件实现 |
| 5.4 电磁兼容性设计 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 测试结果及分析 |
| 6.1 组件测试结果 |
| 6.2 研制问题分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 结束语 |
| 7.1 研究工作总结 |
| 7.2 下一步研究方向 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（9）混合集成X波段小型化T/R组件的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 相控阵雷达与T/R组件 |
| 1.2 T/R组件发展概况 |
| 1.3 本课题的研究内容及主要工作 |
| 1.3.1 本项目的主要研究内容 |
| 1.3.2 X波段T/R组件的基本指标 |
| 1.3.2.1 发射通道基本指标 |
| 1.3.2.2 接收通道基本指标 |
| 1.3.2.3 公共部分指标及其它要求 |
| 1.3.3 实现T/R组件小型化主要工作 |
| 第二章 T/R组件电路设计与实现 |
| 2.1 T/R组件结构介绍 |
| 2.2 X波段T/R组件设计与实现 |
| 2.2.1 数控移相器 |
| 2.2.2 数控衰减器 |
| 2.2.3 移相衰减多功能芯片 |
| 2.2.4 T/R组件总体设计 |
| 2.2.5 T/R组件发射通道设计与实现 |
| 2.2.5.1 发射通道指标预算 |
| 2.2.5.2 输出功率带内起伏 |
| 2.2.5.3 发射功率一致性 |
| 2.2.5.4 发射通道相位一致性 |
| 2.2.5.5 发射信号带外杂散抑制 |
| 2.2.5.6 收发转换时间 |
| 2.2.5.7 发射通道电流概算 |
| 2.2.5.8 组件发射效率 |
| 2.2.6 T/R组件接收通道设计与实现 |
| 2.2.6.1 接收通道噪声,增益概算 |
| 2.2.6.2 接收通道输入P-1 计算 |
| 2.2.6.3 接收通道增益起伏 |
| 2.2.6.4 接收通道同频点下增益不一致性 |
| 2.2.6.5 接收通道相位一致性 |
| 2.2.6.6 接收单通道电流计算 |
| 2.2.7 T/R组件收发公共部分 |
| 2.2.7.1 数控移相器 |
| 2.2.7.2 输入输出端口驻波 |
| 2.2.7.3 组件效率 |
| 2.2.8 T/R组件外形设计及三维示意图 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 T/R组件制作关键工艺实现 |
| 3.1 微波多层板在T/R组件上的应用 |
| 3.1.1 微波多层板材料的选择 |
| 3.1.1.1 基材对特性阻抗的影响 |
| 3.1.1.2 基材对传输损耗的影响 |
| 3.1.1.3 介电常数对线宽的影响 |
| 3.1.1.4 基材的物化性能考虑 |
| 3.1.2 T/R组件微波多层板工艺研究 |
| 3.1.2.1 微波多层板工艺流程 |
| 3.1.2.2 内埋电阻工艺在T/R组件小型化上的应用 |
| 3.1.2.3 内埋电阻工艺实现 |
| 3.2 基于微波多层板平台的X波段T/R组件加工 |
| 3.2.1 微波多层板加工 |
| 3.2.2 基于微波多层板平台的X波段T/R组件微组装 |
| 3.2.2.1 环氧粘贴 |
| 3.2.2.2 冶金烧结 |
| 3.2.2.3 引线键合及互连 |
| 3.2.2.4 金属外壳封装 |
| 3.2.3 X波段T/R组件微组装过程 |
| 3.3 微波多层板在T/R组件上的适用性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 T/R组件测试 |
| 4.1 发射部分测试 |
| 4.2 接收部分测试 |
| 4.3 公共部分测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（10）K波段6位MMIC数字移相器与衰减器的设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 MMIC概述 |
| 1.2 MMIC移相器与衰减器的发展概况 |
| 1.3 课题研究意义 |
| 1.4 本文研究内容及章节安排 |
| 第二章 移相器与衰减器的基本原理 |
| 2.1 移相器原理与常用拓扑结构 |
| 2.1.1 开关线型移相器 |
| 2.1.2 负载线型移相器 |
| 2.1.3 反射型移相器 |
| 2.1.4 高通低通型移相器 |
| 2.2 衰减器原理与常用拓扑结构 |
| 2.2.1 开关型衰减器 |
| 2.2.2 T型衰减器 |
| 2.2.3 π 型衰减器 |
| 2.2.4 桥T型衰减器 |
| 2.3 移相器与衰减器的关键指标 |
| 2.3.1 移相器关键指标 |
| 2.3.2 衰减器关键指标 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 移相器与衰减器的设计 |
| 3.1 移相器与衰减器的指标与设计方法 |
| 3.2 移相器与衰减器中的开关 |
| 3.2.1 pHEMT的结构与工作原理 |
| 3.2.2 pHEMT开关模型 |
| 3.3 移相器设计 |
| 3.3.1 5.625 °移相单元 |
| 3.3.2 11.25 °、22.5°、45°移相单元 |
| 3.3.3 90 °、180°移相单元 |
| 3.4 衰减器设计 |
| 3.4.1 0.5dB、1dB衰减单元 |
| 3.4.2 2dB衰减单元 |
| 3.4.3 4dB衰减单元 |
| 3.4.4 8dB衰减单元 |
| 3.4.5 16dB衰减单元 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 移相器、衰减器的级联与版图设计 |
| 4.1 移相器与衰减器的级联 |
| 4.2 无源器件模型分析 |
| 4.2.1 电容 |
| 4.2.2 电感 |
| 4.2.3 电阻 |
| 4.2.4 微带线 |
| 4.2.5 背孔 |
| 4.3 移相器与衰减器的版图设计 |
| 4.4 移相器与衰减器的电磁场仿真 |
| 4.4.1 移相器电磁场仿真 |
| 4.4.2 衰减器电磁场仿真 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
四、S波段单片集成5位数控移相器（论文参考文献）
- [1]X波段控制模块电路研究与设计[D]. 武屹冰. 电子科技大学, 2021(01)
- [2]6-18GHz超宽带6位MMIC数字移相器的研究与设计[D]. 钟业奎. 电子科技大学, 2021(01)
- [3]Ku波段硅基相控阵收发组件关键技术研究与芯片设计[D]. 罗磊. 东南大学, 2021
- [4]氮化镓幅相控制多功能芯片的研究[D]. 谢媛媛. 中国科学院大学(中国科学院大学人工智能学院), 2020(04)
- [5]L波段有源相控阵雷达收发组件的研究与实现[D]. 曹蕊. 东南大学, 2020(01)
- [6]宽带智能微波数字移相器的设计与研究[D]. 华文亮. 苏州大学, 2020(02)
- [7]S波段四位数字移相技术研究[D]. 侯孝攀. 电子科技大学, 2020(07)
- [8]8毫米T/R组件的设计与实现[D]. 陈新. 电子科技大学, 2019(04)
- [9]混合集成X波段小型化T/R组件的设计与实现[D]. 钟怀磊. 电子科技大学, 2019(04)
- [10]K波段6位MMIC数字移相器与衰减器的设计[D]. 徐蕾. 西安电子科技大学, 2019(02)